类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同等级）
　　过渡频率（fT）：100MHz

2SD1781 AFR 的核心优势在于其高频性能和稳定性。该晶体管的过渡频率（fT）高达100MHz，使其非常适合用于射频（RF）放大器和高频开关电路。其NPN结构能够提供快速的响应时间和低噪声特性，适合用于高精度信号放大。
　　在电气特性方面，2SD1781 AFR 具有较高的电流增益（hFE），其范围在110到800之间，具体数值取决于晶体管的等级（通常分为O档、Y档、GR档、BL档等）。这种可变增益范围使得它能够灵活应用于不同的电路设计中。
　　此外，该晶体管的集电极-发射极电压（VCEO）和集电极-基极电压（VCBO）均为50V，能够承受较高的电压应力，适用于中等功率的放大和开关应用。其低发射极-基极电压（VEBO）为5V，确保了在低电压环境下仍能保持稳定的工作状态。
　　封装方面，2SD1781 AFR 通常采用TO-92封装，体积小巧，便于安装和焊接，适用于PCB板上的多种应用场景。同时，该元件符合RoHS环保标准，确保了其在现代电子制造中的广泛应用。

2SD1781 AFR 被广泛应用于高频放大电路、射频（RF）电路、音频放大器、开关电源、振荡器以及通用电子电路中。在通信设备中，该晶体管可用于信号放大和调制解调电路。在消费电子产品中，如收音机、音频放大器和遥控器中，它也常被用于信号处理和放大功能。此外，该晶体管还可用于驱动小型继电器、LED灯和其他低功耗负载。

2N3904, BC547, 2SC2222, 2SD1780