时间：2025/8/2 5:46:50
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PMPB29XNEA是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。PMPB29XNEA采用SMD（表面贴装）封装，适用于自动化贴片工艺，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电系统以及负载开关控制等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：110A
导通电阻（RDS(on)）：@VGS=10V时，最大值为2.9mΩ
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
安装类型：表面贴装
PMPB29XNEA具备多项优异特性，首先其采用TrenchMOS技术，使得导通电阻显著降低，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件具有高电流承载能力和良好的热稳定性，适合在高功率密度应用中使用。此外，PMPB29XNEA的封装设计优化了热管理性能，使其能够在高负载条件下保持较低的工作温度，延长使用寿命。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够承受瞬态高电压和大电流冲击，适用于严苛的工业和汽车电子环境。栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于设计和集成。最后，PMPB29XNEA的封装尺寸紧凑，便于在高密度PCB布局中使用，同时支持自动贴片工艺，提高了生产效率和焊接可靠性。
PMPB29XNEA广泛应用于各类电力电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。例如，在DC-DC转换器中，PMPB29XNEA可用于同步整流和功率开关，提高转换效率并降低发热；在电源管理系统中，可作为负载开关或稳压模块的核心器件；在电池管理系统（BMS）中，用于充放电控制和保护电路；在电机驱动和功率放大电路中，也可作为主开关元件。此外，该器件还适用于服务器电源、工业自动化设备、汽车电子以及便携式储能设备等领域。
PMPB9XNEA, PMPB11PNX, IPB29XN, STP110N3LLZ
