类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极电压（VEBO）：4V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70 - 700
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　工作结温（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23

2SC5866晶体管具备出色的高频性能，其过渡频率（fT）高达8GHz，使其非常适合应用于高频放大电路，尤其是在UHF频段及以上的射频系统中表现出色。该器件在小信号放大条件下能够提供非常高的电流增益，典型hFE值可达70至700之间，确保了信号放大的稳定性和一致性。这种宽范围的电流增益分布使得它可以在多种偏置条件下灵活使用，适应不同的电路设计需求。
　　该晶体管具有较低的噪声系数，通常在1GHz以下频率时噪声表现优异，因此特别适合用作低噪声放大器（LNA）的第一级放大元件，有助于提升接收系统的灵敏度。此外，2SC5866的输入输出阻抗特性经过优化，能够与常见的50欧姆系统良好匹配，减少了外部匹配网络的复杂度，提高了整体电路的集成度和可靠性。
　　从结构上看，2SC5866采用硅平面外延工艺制造，具有良好的热稳定性和长期工作的可靠性。其小型表面贴装封装（SOT-23）不仅节省空间，还具备良好的散热性能和高频响应能力，适用于自动化贴片生产线，有利于大规模生产中的成本控制和良率提升。
　　该器件的工作电压适中，VCEO为50V，允许在常规低压电源下运行，同时具备足够的电压裕量以应对瞬态波动。最大集电极电流为100mA，满足大多数小信号处理应用的需求。功率耗散为200mW，配合良好的PCB布局可有效管理热量积累。综合来看，2SC5866是一款专为高性能模拟和射频应用设计的通用高频NPN晶体管，兼具高增益、低噪声和高频率响应等优势，是现代高频电子系统中的关键元器件之一。

2SC5866广泛应用于高频模拟电路和射频系统中，尤其适用于需要高增益和低噪声放大的场景。其主要应用领域包括电视调谐器、卫星接收设备、有线电视前端模块以及各类无线通信系统中的小信号放大环节。在这些系统中，2SC5866常被用作射频放大器的第一级放大晶体管，以增强微弱信号并提高整个接收链路的信噪比。
　　此外，该器件也适用于宽带放大器设计，可在数百MHz到数GHz的频率范围内保持稳定的增益响应，因此在测试仪器、信号发生器和测量设备中也有应用。由于其良好的频率特性和较小的封装尺寸，2SC5866非常适合用于便携式通信设备和紧凑型电子模块中，例如无线传感器节点、物联网终端和小型化收发单元。
　　在消费类电子产品方面，2SC5866可用于音频前置放大器、高频振荡电路以及本地振荡器缓冲级等电路中，发挥其高线性度和低失真的优势。同时，由于其具备一定的开关能力，也可在高速数字开关电路或脉冲放大电路中作为驱动元件使用，尽管其主要定位仍是小信号放大而非大功率开关应用。
　　工业控制和汽车电子系统中，若涉及高频信号处理或远程无线监控功能，2SC5866同样可以胜任相关信号调理任务。总体而言，该晶体管凭借其优异的高频性能和可靠的稳定性，已成为众多高频电子设计工程师首选的小信号NPN晶体管之一。

BCX56-10, MMBT918, BFR92A, 2SC3356