LOT670K 时间：2025/12/28 7:41:55 阅读：12

LOT670K是一款由Littelfuse公司生产的表面贴装（SMD）瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），专为保护敏感电子设备免受瞬态电压事件（如静电放电ESD、电快速瞬变脉冲群EFT以及雷击感应等）的损害而设计。该器件集成了多个高性能TVS二极管，能够提供双向或单向的过压保护，适用于高速数据线路和低电压供电系统的防护。LOT670K采用紧凑型封装，适合在空间受限的应用中使用，例如便携式消费电子产品、通信接口和工业控制系统。其主要特点是响应速度快、钳位电压低、漏电流小，并且具备高可靠性与长期稳定性。该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，广泛应用于需要高电磁兼容性（EMC）性能的设计中。由于其优化的内部结构设计，LOT670K能够在不影响信号完整性的前提下，有效抑制高频噪声和瞬态干扰，确保系统在恶劣电磁环境下的正常运行。

参数

类型：瞬态电压抑制二极管阵列
　　极性：双向
　　通道数：4通道
　　工作电压（VRWM）：6.7V
　　击穿电压（VBR）：7.45V @ 1mA
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：3.5A
　　最大钳位电压（VC）：14.2V @ 3.5A
　　漏电流（IR）：≤1μA
　　电容值（Ct）：典型值35pF @ 0V, 1MHz
　　封装形式：SOT-143
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　ESD耐受能力：±30kV（人体模型HBM）
　　反向工作电压：6.7V
　　功率容量（PPPM）：300W（8/20μs脉冲）

特性

LOT670K的核心特性之一是其出色的瞬态抑制能力，能够在纳秒级时间内响应高达300W的峰值脉冲功率（依据8/20μs电流波形测试），从而有效吸收来自外部环境的瞬态能量并将其安全地引导至地线，防止下游电路受到损坏。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有非常低的动态电阻，这使得在发生过压事件时，其钳位电压能够维持在一个相对较低的水平（最大14.2V），显著降低了对被保护IC的应力冲击。此外，由于其双向导通特性，LOT670K非常适合用于交流信号线路或双向数据总线的保护，例如USB、I2C、RS-485、CAN等接口。
　　另一个关键优势是其低寄生电容特性，典型值仅为35pF，在1MHz条件下测量，这一数值确保了器件在高频信号传输路径中的插入损耗最小化，不会引起明显的信号失真或延迟，特别适用于高速数字通信系统。同时，极低的漏电流（不超过1μA）保证了在正常工作状态下几乎不消耗额外功耗，这对于电池供电的移动设备尤为重要。LOT670K还具备优异的热稳定性和长期可靠性，能够在-55°C到+150°C的宽温度范围内稳定运行，适应严苛的工业和汽车级应用环境。
　　从结构上看，LOT670K集成了四个独立的TVS单元，每个单元均可独立工作于6.7V的工作电压下，允许用户灵活配置多条信号线的同时保护。SOT-143小型化封装不仅节省PCB布局空间，而且便于自动化贴片生产，提升了制造效率。该器件通过了IEC 61000-4-2 Level 4（接触放电±8kV，空气放电±15kV）、IEC 61000-4-4（EFT ±2kV）等多项国际EMC标准认证，证明其在复杂电磁环境中具备强大的抗扰度能力。综上所述，LOT670K是一款高性能、高集成度的ESD保护解决方案，兼顾电气性能、物理尺寸与环境适应性，适用于现代电子系统中对可靠性和紧凑性要求较高的应用场景。

应用

LOT670K广泛应用于各类需要高等级静电放电（ESD）和瞬态电压保护的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，其中用于保护USB接口、耳机插孔、触摸屏控制器及传感器信号线免受人体接触带来的高压静电损伤。在通信领域，该器件可用于以太网端口、RS-232/RS-485串行接口、CAN总线以及I2C/SPI等低速数据总线的防护，提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。工业控制设备中，LOT670K常被部署在PLC输入输出模块、人机界面（HMI）和现场总线节点上，用于抵御工厂环境中常见的电快速瞬变（EFT）和感应雷击干扰。此外，在汽车电子系统中，尽管并非专为AEC-Q101认证设计，但其高可靠性使其可用于车载信息娱乐系统的辅助接口保护。医疗电子设备也采用此类器件来保障患者连接端口的安全性，避免因外部静电导致设备误动作或损坏。由于其低电容和高速响应特性，LOT670K同样适用于高速差分信号线路的共模保护，例如HDMI、DisplayPort等视频接口的辅助信号通道。总之，凡是在存在潜在瞬态电压威胁且要求小型化、低功耗、高信号完整性的场合，LOT670K均能提供有效的电路级防护解决方案。