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FPV201209S9R0PLT 发布时间 时间:2025/12/28 2:01:51 查看 阅读:8

FPV201209S9R0PLT是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管(TVS),专门用于保护敏感电子设备免受瞬态电压事件的影响,例如静电放电(ESD)、电感负载切换和雷击感应等。该器件采用先进的平面技术制造,具有极低的漏电流和快速响应时间,能够在纳秒级别内将过电压钳位到安全水平,从而有效防止下游电路受损。FPV201209S9R0PLT属于单向TVS二极管,意味着其工作特性类似于一个仅在一个方向上导通的齐纳二极管,在正常工作条件下呈现高阻抗状态,而在遭遇过压事件时迅速转变为低阻抗状态以泄放浪涌电流。
  这款TVS二极管封装在小型化的SMA(DO-214AC)封装中,适合空间受限的应用场景,如便携式消费电子产品、通信接口和工业控制系统。其无铅(Pb-free)设计符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性和长期可靠性。FPV201209S9R0PLT广泛应用于电源线、数据线以及信号线路的过压保护场合,能够承受高能量脉冲而不发生性能退化。此外,该器件经过严格测试,确保在各种环境条件下均能保持稳定的电气特性,是现代电子系统中实现电磁兼容性(EMC)和提高整体系统鲁棒性的关键元件之一。

参数

类型:单向TVS二极管
  封装:SMA(DO-214AC)
  反向截止电压(VRWM):9.0V
  击穿电压(VBR):10.0V 至 11.6V
  最大钳位电压(VC):15.0V(在IPP = 7.3A时)
  峰值脉冲电流(IPP):7.3A
  峰值脉冲功率(PPPM):100W(8/20μs波形)
  漏电流(IR):≤1μA
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

FPV201209S9R0PLT具备优异的瞬态电压抑制能力,能够在极短时间内响应并抑制突发的高压瞬变,保障后级电路的安全运行。其核心优势在于采用了高性能硅PN结结构,结合优化的芯片设计工艺,实现了低动态电阻和高效的能量吸收能力。当系统遭遇ESD或EFT等瞬态干扰时,该TVS可在皮秒至纳秒量级完成从高阻态到低阻态的转换,迅速将电压限制在预设的安全范围内,避免敏感器件如MCU、传感器或通信模块因过压而损坏。此外,其低漏电流特性确保了在待机或低功耗模式下不会对系统造成额外负担,特别适用于电池供电设备。
  该器件的100W峰值脉冲功率处理能力使其能够应对多种工业和消费类应用场景中的典型浪涌威胁。通过符合IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV接触放电)和IEC 61000-4-4(±4kV EFT)等国际电磁兼容标准的测试验证,FPV201209S9R0PLT展现出卓越的抗扰度性能。SMA封装不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能,有助于在多次浪涌冲击后快速恢复。同时,器件具有高度的一致性和批次稳定性,适合自动化贴片生产流程。所有材料均符合RoHS指令要求,不含铅、镉等有害物质,支持绿色环保制造。由于其可靠的性能表现和紧凑的设计,FPV201209S9R0PLT成为众多高端电子产品的首选保护元件之一,尤其适用于对可靠性和安全性要求较高的应用场景。

应用

FPV201209S9R0PLT常用于各类需要瞬态电压保护的电子系统中,尤其是在接口电路和电源路径中发挥关键作用。典型应用包括USB端口、RS-232/RS-485通信线路、GPIO引脚、按键输入、ADC输入通道以及其他低电压信号线路的ESD防护。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中,它能有效抵御人体模型静电放电带来的损害。在工业控制领域,可用于PLC模块、传感器接口和现场总线系统的过压保护,提升设备在恶劣电磁环境下的稳定性与寿命。此外,该TVS也适用于汽车电子中的非驱动类小功率电路,例如车载信息娱乐系统的辅助接口或车身控制模块的信号输入端,提供必要的瞬态抑制功能。在医疗设备中,为确保患者安全和设备精度,FPV201209S9R0PLT可用于隔离和保护连接外部探头或外设的数据通道。其宽泛的工作温度范围使其能在高温或低温环境中稳定运行,满足工业级和扩展工业级应用需求。总而言之,任何存在瞬态电压风险且工作电压接近9V的系统均可考虑使用该型号进行有效防护。

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