类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极电压（VEBO）：4V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功率耗散（PD）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700（典型值随测试条件变化）
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　工作结温（Tj）：-55°C～+150°C
　　封装形式：S-Mini（超小型表面贴装封装）

2SC5825TLQ的核心特性之一是其卓越的高频性能，其过渡频率（fT）高达8GHz，使其能够在甚高频（VHF）和超高频（UHF）范围内有效工作。这一特性使得该晶体管非常适合用于射频放大器、低噪声放大器（LNA）以及高速开关电路中。在实际应用中，高fT意味着晶体管可以在更高的频率下保持足够的电流增益，从而确保信号的完整性和系统的稳定性。同时，该器件在低电流工作条件下仍能维持较高的hFE值，表现出良好的线性放大能力，这对小信号处理尤其重要。
　　另一个显著特点是其低噪声系数，在典型工作条件下可实现低于1.5dB的噪声性能，这使其成为接收机前端放大电路的理想选择。低噪声特性有助于提升整个系统的信噪比，特别是在微弱信号接收场合，如无线遥控、蓝牙模块、Wi-Fi射频前端等。此外，2SC5825TLQ具有较小的输入和输出电容（Cob约为1.5pF），减少了高频信号的失真和相位延迟，进一步增强了其在高频电路中的适用性。
　　该器件还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适应各种严苛环境下的使用需求。其小型化的S-Mini封装不仅节省了PCB空间，而且通过优化内部引线结构降低了寄生电感和电阻，提高了高频响应速度。此外，该封装支持自动化贴片生产，提升了制造效率和产品一致性。综合来看，2SC5825TLQ以其高频、低噪、高增益和紧凑封装的优势，成为现代高频模拟电路设计中的优选三极管之一。

2SC5825TLQ广泛应用于各类高频电子系统中，尤其是在无线通信领域表现突出。它常被用作射频放大器中的核心增益元件，适用于FM收音机、无线麦克风、对讲机、遥控装置等设备的射频前端放大电路。在这些应用中，晶体管需要在几十MHz到几百MHz的频率范围内提供稳定的增益并保持低噪声水平，而2SC5825TLQ正好满足这些要求。此外，由于其快速开关能力，该器件也可用于高速数字开关电路或脉冲放大电路中，例如在时钟信号调理、数据传输接口缓冲等场景中发挥作用。
　　在消费类电子产品中，2SC5825TLQ常见于智能手机、平板电脑、无线耳机等设备的射频模块中，作为低噪声放大器或驱动级放大器使用。其小型封装非常适合高度集成的移动设备设计。此外，在物联网（IoT）设备中，如ZigBee、LoRa、BLE（低功耗蓝牙）模块中，该晶体管可用于增强接收灵敏度和改善信号质量。工业控制和汽车电子中的远程无钥匙进入系统（RKE）、胎压监测系统（TPMS）等也常采用此类高性能晶体管进行射频信号处理。
　　除了通信应用外，2SC5825TLQ还可用于测试仪器、传感器信号调理电路以及需要高增益小信号放大的模拟前端设计。其宽泛的工作温度范围使其适用于车载和工业级产品。总体而言，凡是需要在高频条件下实现低噪声放大或高速开关功能的场合，2SC5825TLQ都是一种可靠且高效的解决方案。

MMBT3904、2SC3356、BFR92A、2SC5624