时间：2025/5/16 15:33:58
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RB521CM-30T2R 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换等应用领域。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，能够显著提升效率并减少功耗。
该器件适用于高频率开关场景，其优化的封装设计使其具备良好的散热性能，从而提升了整体系统的可靠性。
型号：RB521CM-30T2R
类型：N沟道增强型MOSFET
VDS（漏源电压）：30V
RDS(on)（导通电阻）：2.0mΩ（典型值，VGS=10V）
ID（持续漏电流）：87A
Qg（栅极电荷）：42nC
fsw（开关频率）：最高支持1MHz
封装形式：TO-263-3L
工作温度范围：-55℃至+175℃
RB521CM-30T2R 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），能够在高电流应用中显著降低功耗。
2. 高速开关能力，适合高频电源转换应用场景。
3. 强大的过流能力和耐热性能，确保在严苛环境下稳定运行。
4. 栅极电荷小，驱动损耗低，进一步提升了系统效率。
5. 符合RoHS标准，环保且适合现代工业要求。
6. TO-263-3L封装提供优秀的散热性能和电气连接可靠性。
RB521CM-30T2R 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率级开关。
2. 电机驱动器中的桥臂开关。
3. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
4. 负载开关和保护电路中的关键元件。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 电动工具和家用电器的高效功率管理单元。
RB521CM-30T2,
IRF3205,
FDP55N06L,
AON6720
