时间：2025/7/4 5:22:25
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PHB29N08T 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其低导通电阻和出色的开关性能使得它在高效率应用中表现优异。
该 MOSFET 的设计结合了先进的半导体制造工艺，能够提供高效的电流传输能力，同时保持较低的开关损耗。
最大漏源电压：80V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：15mΩ
总功耗：75W
工作结温范围：-55℃至+175℃
PHB29N08T 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高速开关能力，支持高频操作，适用于开关电源和其他高频应用。
3. 较高的雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 紧凑的 TO-263 封装设计，便于 PCB 布局并提供良好的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
PHB29N08T 广泛用于多种领域：
1. 开关电源中的功率开关。
2. DC-DC 转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 工业控制设备中的功率管理模块。
6. 电池管理系统中的电子保险丝功能。
IRFZ44N
FDP17N10
STP12NM60
