2SC5825 时间：2025/12/25 10:43:02 阅读：16

2SC5825是一款NPN型硅晶体管，由东芝（Toshiba）公司生产，主要用于高频放大和开关应用。该晶体管采用先进的平面外延技术制造，具有优异的高频特性和稳定性，适用于需要高增益、低噪声和快速响应的电路设计。2SC5825通常封装在小型表面贴装器件（S-Mini或类似的小型封装）中，适合高密度PCB布局，广泛应用于便携式通信设备、射频前端模块以及消费类电子产品中。该器件在设计上注重热稳定性和电气性能的一致性，能够在较宽的工作温度范围内保持可靠的性能表现。其引脚排列符合标准三极管配置（发射极、基极、集电极），便于替换和自动化装配。2SC5825因其良好的线性度和频率响应，在小信号放大电路中表现出色，尤其是在VHF/UHF频段的应用中具备显著优势。

参数

类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：60V
　　发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功率耗散（Pc）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70 - 700（测试条件IC=2mA, VCE=6V）
　　特征频率（fT）：80MHz
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：S-Mini（USMT）

特性

2SC5825晶体管具备出色的高频放大能力，其特征频率（fT）高达80MHz，使其非常适合用于高频小信号放大电路，例如在无线通信系统中的射频前端、调制解调器、FM收音机模块以及电视调谐器等应用场景。该器件在低电流工作状态下仍能维持较高的电流增益，典型hFE值范围为70至700，这使得它可以在微弱信号条件下实现高效放大，提升系统的信噪比和接收灵敏度。此外，由于采用了先进的硅外延工艺，2SC5825具有较低的寄生电容和良好的结隔离性能，从而减少了高频下的相位失真和交叉干扰。
　　该晶体管的热稳定性良好，能够在-55℃到+150℃的极端温度环境下正常工作，适用于工业级和汽车电子等对环境适应性要求较高的场合。其小型表面贴装封装（S-Mini/USMT）不仅节省空间，还具备优良的散热性能和机械强度，支持回流焊和波峰焊等多种焊接方式，适合大规模自动化生产。同时，该封装形式降低了引线电感，有助于提高高频响应特性。
　　在开关应用方面，2SC5825也表现出较快的开关速度和较低的导通损耗，适用于中小功率的数字逻辑驱动、LED控制、传感器信号调理等场景。其最大集电极电流为150mA，足以满足大多数低功耗电路的需求。此外，器件的击穿电压适中（VCEO=50V），可在多种低压电源系统中安全使用，避免因过压导致的损坏风险。综合来看，2SC5825是一款性能均衡、可靠性高的通用高频NPN晶体管，适用于多种模拟与数字混合信号电路的设计需求。

应用

2SC5825广泛应用于高频小信号放大电路中，常见于便携式通信设备如对讲机、无线麦克风、遥控器和蓝牙音频模块中，作为射频或中频放大级使用。在广播接收领域，它可用于AM/FM收音机的前置放大器或混频器驱动级，提供高增益和低噪声的信号处理能力。此外，在电视机顶盒、DVD播放器和监控摄像头等消费类电子产品中，2SC5825常被用于视频信号缓冲或音频前置放大电路。由于其良好的线性度和频率响应，该晶体管也被用于传感器信号调理电路，例如温度、光强或气体传感器的微弱信号放大。在工业控制和自动化系统中，它可以作为逻辑电平转换、继电器驱动或LED指示灯控制的开关元件。另外，由于其小型化封装，特别适合用于高密度印刷电路板（PCB）设计，满足现代电子产品向轻薄化发展的趋势。