型号：74ABT373D
　　封装类型：SO16
　　逻辑系列：74ABT
　　电源电压（VCC）：4.5V ~ 5.5V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　输出类型：三态
　　输出电流（灌电流/拉电流）：24mA / 24mA（典型值）
　　传播延迟时间（tpd）：约5ns（典型值，VCC=5V）
　　锁存使能（LE）输入：高电平有效（透明）
　　输出使能（OE）：低电平有效
　　输入电容：约3.5pF
　　功耗：静态电流低于80μA（典型）
　　引脚数：16
　　逻辑功能：八路D型锁存器
　　上升/下降时间（tr/tf）：约2.5ns（VCC=5V）

74ABT373D的核心特性在于其结合了高速双极工艺与低功耗CMOS结构的优势，实现了优异的电气性能和稳定性。该器件采用先进的硅栅CMOS技术，显著降低了功耗，同时保持了与TTL电平完全兼容的输入输出特性，使其能够在5V系统中无缝集成。其传输延迟时间典型值仅为5ns，保证了在高频操作下的快速响应能力，适用于对时序要求严格的数字系统。锁存器在LE（锁存使能）为高电平时处于“透明”模式，即输入数据实时反映在输出端；当LE下降为低电平时，输入数据被锁定并保持，这种边沿触发前的电平敏感机制简化了时序控制设计。
　　该芯片的三态输出功能由OE（输出使能）引脚控制，低电平时允许输出正常驱动总线，高电平时所有输出进入高阻态，避免总线冲突。此功能特别适用于多器件共享数据总线的系统，如微处理器系统的地址/数据锁存。74ABT373D的输出驱动能力强大，每个输出可提供高达24mA的灌电流和拉电流，能够直接驱动多个TTL输入而无需额外缓冲。此外，该器件具备高噪声 immunity，输入端设有滞后设计以增强抗干扰能力，确保在恶劣工业环境中可靠运行。
　　在可靠性方面，74ABT373D具备过压保护、静电放电（ESD）防护（HBM模型可达2kV以上），以及防止闩锁效应的设计，符合工业级应用标准。其SO16封装具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于自动化贴片生产流程。该芯片还具备宽工作温度范围（-40°C至+85°C），可在极端环境条件下稳定工作，满足工业、汽车及通信设备的严苛要求。整体上，74ABT373D在速度、功耗、驱动能力和可靠性之间取得了良好平衡，是传统74LS/74ALS系列锁存器的理想升级选择。

74ABT373D广泛应用于需要高速数据锁存和总线管理的数字电子系统中。在微处理器和微控制器系统中，常用于锁存地址总线信号，实现地址与数据的分时复用，例如在8051、8086等架构中作为地址锁存器使用。其高驱动能力使其非常适合驱动长距离PCB走线或多负载总线结构，常见于工业控制面板、PLC模块和自动化设备中的I/O扩展电路。在通信系统中，该器件可用于数据缓冲和电平转换，提升信号完整性，特别是在异步串行通信接口或并行数据采集系统中发挥重要作用。
　　在计算机外围设备中，如打印机、扫描仪和存储控制器，74ABT373D用于暂存控制信号或状态信息，确保数据同步和稳定传输。此外，在嵌入式系统和数字信号处理平台中，该芯片可用于锁存配置寄存器数据或作为DMA（直接内存访问）通道的辅助锁存单元。由于其三态输出特性，多个74ABT373D可并联在同一数据总线上，通过片选和使能信号实现分时访问，极大提升了系统的扩展性与灵活性。
　　在测试测量仪器中，该器件用于构建高速数据采集前端，锁存来自传感器或多路开关的瞬时数据。其快速传播延迟和稳定的输出特性确保了采样精度与时序一致性。在LED显示控制系统中，74ABT373D可用于锁存段码或位选信号，驱动多位数码管或点阵屏。此外，因其兼容TTL电平且功耗较低，也被用于教育实验板和开发套件中，作为基础逻辑构建模块，帮助学生理解锁存器原理和总线操作机制。

SN74ABT373NSR
　　74ABT373DB
　　MC74ABT373N