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2SC3647T-TD-E 发布时间 时间:2025/6/21 23:05:11 查看 阅读:5

2SC3647T-TD-E是一款高性能的NPN型双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),主要用于高频放大和开关应用。该型号属于东芝(Toshiba)半导体公司的产品系列,广泛应用于通信设备、工业电子以及消费类电子产品中。它具有较高的电流增益、低噪声特性和良好的频率响应能力。
  该器件采用TO-18封装形式,适合表面贴装技术(SMT),并具备优良的热稳定性和可靠性,适用于对性能要求较高的电路设计。

参数

集电极-发射极电压:50V
  集电极最大电流:3A
  直流电流增益(hFE):100~400
  最大耗散功率:1W
  过渡频率(fT):1GHz
  工作温度范围:-55℃~150℃
  封装形式:TO-18

特性

2SC3647T-TD-E的主要特性包括以下几点:
  1. 高频性能:该晶体管的过渡频率(fT)高达1GHz,非常适合高频信号放大和处理应用。
  2. 宽电流增益范围:其直流电流增益(hFE)在100至400之间,能够满足多种不同场景下的增益需求。
  3. 耐高压能力:集电极-发射极电压为50V,允许在较高电压环境下运行。
  4. 大电流承载能力:最大集电极电流可达3A,可支持较大的负载电流。
  5. 热稳定性:器件能够在-55℃到150℃的工作温度范围内保持稳定性能,适用于恶劣环境下的应用。
  6. 表面贴装兼容:采用TO-18封装形式,便于使用表面贴装技术进行生产,提高装配效率。

应用

2SC3647T-TD-E的应用领域非常广泛,主要涵盖以下几个方面:
  1. 高频放大器:由于其出色的高频性能,常用于射频(RF)和微波放大器电路中。
  2. 开关电路:利用其大电流承载能力和快速开关特性,可用于各类电子开关应用。
  3. 工业控制:在工业自动化设备中,作为驱动元件控制电机或其他负载。
  4. 通信设备:在基站、无线模块等通信系统中,作为信号放大或调制解调的关键组件。
  5. 消费类电子产品:如音响设备、电视和其他家用电器中的音频和视频信号处理部分。

替代型号

2SC3647, 2SC3647P-TD-E, 2SC3647Y-TD-E

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2SC3647T-TD-E参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大500mW
  • 频率 - 转换120MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装PCP
  • 包装带卷 (TR)