电容值：3.3 nF (332)
　　容差：±10%
　　额定电压：50 V
　　温度系数：NP0（C0G）
　　封装尺寸：0805（2012 公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：陶瓷
　　结构：多层陶瓷电容器（MLCC）

RCH855NP-332K 电容器采用 NP0（也称为 C0G）介质材料，具有出色的温度稳定性和频率稳定性，其电容值随温度变化几乎不变，温度系数为 0 ±30 ppm/°C。这种材料使其特别适合用于高精度电路、射频（RF）电路和振荡器等对稳定性要求极高的应用场合。
　　该电容器的额定电压为 50V，能够在较宽的电压范围内稳定工作，具有良好的耐压性能。封装尺寸为 0805（英制）或 2012（公制），适合在 PCB 设计中使用，兼顾了安装密度和焊接可靠性。
　　此外，RCH855NP-332K 具有优异的低损耗特性，高频响应良好，适用于滤波、耦合和去耦等电路设计。其陶瓷材料和 MLCC 结构也赋予了该电容器较强的抗湿性和机械稳定性。

RCH855NP-332K 常用于以下领域：
　　1. **射频与微波电路**：由于其优异的频率稳定性和低损耗特性，适用于 RF 滤波器、放大器和振荡器等高频电路。
　　2. **电源管理电路**：作为去耦电容或旁路电容，用于稳定电源电压，减少高频噪声。
　　3. **精密模拟电路**：用于运算放大器、ADC/DAC 等对精度要求较高的模拟电路中。
　　4. **工业控制设备**：如 PLC 控制器、传感器模块、工业通信设备等需要高稳定性和可靠性的应用场景。
　　5. **消费类电子产品**：如智能手机、平板电脑、音频设备等，在需要小尺寸和高性能的场合广泛应用。

TDK C0805C332K5RACTU
　　KEMET C0805C332K5RACTU
　　Vishay VJ0805Y332KXAC-RC
　　Yageo CC0805KKX5R6Y3BB332