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2SC3518-Z-E1 发布时间 时间:2025/7/22 20:35:38 查看 阅读:6

2SC3518-Z-E1 是一款由东芝(Toshiba)制造的NPN型高频晶体管,适用于低噪声放大器(LNA)和高频应用场合。该晶体管设计用于在GHz频率范围内提供高增益和低噪声性能,常用于射频(RF)和微波通信系统中。

参数

类型:NPN晶体管
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):15V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30V
  最大功耗(Pd):300mW
  过渡频率(fT):8GHz
  电流增益带宽(fT):8GHz
  噪声系数(NF):0.5dB(典型值)
  封装类型:SOT-23

特性

2SC3518-Z-E1 晶体管具有多项优良特性,适用于高频和低噪声应用场景。
  首先,其高频性能优异,过渡频率(fT)高达8GHz,使该晶体管能够在GHz级别的射频和微波频段中有效工作。这使其成为无线通信、雷达和测试设备等高频电路的理想选择。
  其次,该晶体管的噪声系数非常低,典型值为0.5dB,非常适合用于低噪声放大器(LNA)的设计。在接收机前端应用中,这种低噪声特性可以有效提高系统的信噪比,从而改善整体性能。
  此外,2SC3518-Z-E1采用SOT-23封装,体积小且易于集成,适合在紧凑的PCB布局中使用。该封装还具有良好的热稳定性和机械可靠性,确保器件在各种工作环境下都能保持稳定性能。
  该晶体管的最大集电极电流为100mA,最大集电极-发射极电压为15V,具备一定的功率承受能力,同时保持较低的功耗。最大功耗为300mW,适合用于低功耗设计。
  最后,其电流增益带宽积(fT)与过渡频率相同,均为8GHz,这表明该晶体管在高频下仍能保持较高的增益性能。这种特性对于高频放大器的设计至关重要,可以确保信号在放大过程中保持良好的线性度和稳定性。

应用

2SC3518-Z-E1晶体管广泛应用于射频(RF)和微波通信系统中,特别是在低噪声放大器(LNA)的设计中。它常用于无线通信设备的接收机前端,以提高信号的接收灵敏度。此外,该晶体管也适用于高频振荡器、混频器和射频功率放大器等电路。由于其SOT-23封装的小型化设计,2SC3518-Z-E1也适合用于便携式电子设备和空间受限的应用场景。

替代型号

BFQ56, 2SC3355, 2SC3519

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