时间：2025/9/14 13:13:06
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PMPB85ENEA/FX 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。该器件采用先进的沟槽栅技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高效率，同时具备良好的热稳定性和可靠性。该 MOSFET 封装形式为 PowerFLAT 5x6，适合表面贴装，适用于紧凑型电源设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：100 V
最大漏极电流 (Id)：80 A
导通电阻 (Rds(on))：8.5 mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷 (Qg)：23 nC
最大功耗 (Ptot)：90 W
封装：PowerFLAT 5x6
PMPB85ENEA/FX 具有多个显著的技术特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其次，该器件具备较高的电流承载能力，最大漏极电流可达 80 A，适合高功率应用场景。此外，该 MOSFET 的栅极电荷较低（Qg=23 nC），有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。
在热性能方面，PowerFLAT 5x6 封装提供了良好的热管理能力，能够有效散发工作过程中产生的热量，从而提升器件的稳定性和可靠性。这种封装形式还具备较小的尺寸，适合空间受限的 PCB 设计。
该器件的工作温度范围宽，通常可在 -55°C 至 175°C 的环境下稳定工作，适应工业级和汽车级应用的严苛环境要求。此外，PMPB85ENEA/FX 内置了过热保护和短路保护功能，提高了器件在复杂工况下的安全性。
PMPB85ENEA/FX 常用于多种高功率和高效率的电子系统中。其典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器以及电动助力转向系统（EPS）等关键部件。
在工业自动化和电源管理领域，PMPB85ENEA/FX 可作为高侧或低侧开关，用于控制电机、继电器和电磁阀等负载。此外，它也适用于 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和服务器电源等高效能电源系统中。
STP80NF10, IPPB85N10N3, IPD80N10S2
