类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：300 ~ 600
　　过渡频率（fT）：200MHz
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOT-457
　　极性：NPN
　　集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　饱和电压（VCE(sat)）：0.25V @ IC=10mA, IB=1mA

2SC3468G-C-AB3-R具备出色的高频放大能力，其典型过渡频率（fT）高达200MHz，使其能够在甚高频（VHF）范围内实现高效的小信号放大，非常适合用于射频前端电路和高频振荡器设计。该晶体管的直流电流增益（hFE）范围为300至600，表现出极高的电流放大倍数，有助于提升信号链路的信噪比和输入灵敏度。这种高增益特性在低电平信号处理中尤为重要，例如在无线接收系统中用于增强微弱信号，从而提高整体系统的接收性能。
　　该器件采用SOT-457小型表面贴装封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，尤其适用于智能手机、便携式音频设备、蓝牙模块和物联网终端等空间受限的应用场景。封装材料具有良好的热导性和机械稳定性，能够有效散发工作时产生的热量，延长器件使用寿命。同时，该封装兼容自动化贴片工艺，提升了生产效率和组装良率。
　　2SC3468G-C-AB3-R的工作温度范围宽达-55℃至+150℃，可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。其最大集电极电流为100mA，集电极-发射极电压为50V，具备足够的电压和电流裕量，适用于多种低压模拟电路设计。此外，该晶体管的饱和压降较低，VCE(sat)典型值仅为0.25V（测试条件IC=10mA, IB=1mA），在开关模式下可减少功耗，提高能效。
　　该器件还具有良好的线性度和低噪声特性，适用于高保真音频放大和精密信号调理电路。其寄生电容较小，输入电容（Cib）和输出电容（Cob）均经过优化，减少了高频信号传输过程中的失真和衰减。综合来看，2SC3468G-C-AB3-R是一款集高频性能、高增益、小尺寸和高可靠性于一体的通用型NPN晶体管，满足现代电子设备对高性能模拟器件的需求。

2SC3468G-C-AB3-R广泛应用于高频小信号放大电路，如FM/AM收音机调谐器、电视接收模块、无线遥控器和短距离无线通信设备（如RFID读写器、ZigBee节点）。由于其高增益和低噪声特性，它常被用作射频前端放大器，用于增强接收到的微弱无线信号，提升系统灵敏度。此外，该晶体管也适用于音频前置放大电路，在便携式音响、耳机放大器和语音采集设备中发挥信号预处理作用。
　　在消费类电子产品中，2SC3468G-C-AB3-R可用于LED驱动、信号切换和逻辑接口电路，作为高速开关元件控制负载通断。其快速开关响应能力和低饱和压降使其在电池供电设备中表现出较高的能效，有助于延长续航时间。该器件还可用于传感器信号调理电路，将微弱的传感器输出信号进行初步放大，以便后续ADC或比较器处理。
　　在工业控制和汽车电子领域，该晶体管可用于低功率继电器驱动、电机控制和电源管理模块中的信号隔离与电平转换。其宽温工作能力和高可靠性确保在恶劣环境中依然稳定运行。此外，由于其符合RoHS标准并支持无铅焊接，2SC3468G-C-AB3-R也适用于医疗设备、测量仪器和通信基站中的模拟信号处理单元。总之，该器件凭借其优异的电气性能和紧凑封装，成为众多模拟和射频应用中的理想选择。

2SC3468G-T1
　　2SC3468G-TF3
　　MMBT3904
　　2N3904
　　BC847B