型号：CBH201209W221T
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装形式：SOT-23
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：1.9A @ Ta=25℃
　　脉冲漏极电流（IDM）：6A
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压（Vth）：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容（Ciss）：220pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：90pF @ VDS=10V
　　反向传输电容（Crss）：40pF @ VDS=10V
　　栅极电荷（Qg）：5nC @ VGS=10V
　　二极管正向电流（IS）：0.5A
　　功率耗散（Pd）：1W @ Ta=25℃
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃

CBH201209W221T具备出色的动态与静态电气特性，能够在低电压条件下实现高效的能量转换。其核心优势之一是极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=4.5V时仅为22mΩ，显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效表现。这使得它非常适合用于对功耗敏感的应用场景，如移动设备中的同步整流或负载开关控制。
　　该器件采用先进的沟槽式工艺技术制造，确保了良好的载流子迁移率和稳定的阈值电压控制。其阈值电压范围为0.6V至1.2V，支持逻辑电平驱动，能够直接由3.3V或更低的微控制器GPIO引脚直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度并节省PCB空间。
　　在高频开关应用中，CBH201209W221T表现出优异的开关速度，得益于较低的输入电容（Ciss=220pF）和栅极电荷（Qg=5nC），减少了开关延迟和过渡损耗，从而提升DC-DC转换器的工作频率上限和瞬态响应能力。
　　此外，该MOSFET内置体二极管具有较快的反向恢复时间，适用于需要续流功能的拓扑结构，例如降压变换器中的下管位置。尽管不是专门的超快恢复二极管，但其性能足以满足大多数中小功率应用的需求。
　　热性能方面，SOT-23封装虽然体积小巧，但在合理布局和散热设计下可支持高达1W的功率耗散能力。结合150℃的最大结温，使其能在较宽的环境温度范围内可靠运行，适用于工业级和消费级应用场景。
　　最后，CBH201209W221T具备良好的抗干扰能力和长期稳定性，经过严格的老化测试和可靠性验证，确保在批量使用中具有一致的产品品质，是国产化替代方案中的优选型号。

CBH201209W221T广泛应用于多种低电压、小电流的电源管理系统中。典型用途包括便携式电子设备中的DC-DC升压或降压转换器，作为同步整流开关使用，以提高转换效率并减少发热。在锂电池供电的产品中，如蓝牙耳机、智能手环、无线鼠标等，该器件常被用于电源路径管理或负载开关控制，实现待机状态下的零泄漏或微安级静态电流设计。
　　在LED照明驱动领域，CBH201209W221T可用于恒流源电路中的开关调节元件，配合电感和控制IC构成简单的升压或降压拓扑，实现对白光LED或RGB灯珠的亮度调控。由于其快速响应特性，也能胜任PWM调光模式下的高频开关任务。
　　该器件还常见于USB接口的限流与过载保护电路中，作为电子保险丝（eFuse）的核心开关元件，可根据主机指令或检测到的异常电流自动切断输出，保护后端设备免受损坏。
　　在电机驱动模块中，特别是微型直流电机或振动马达的控制回路里，CBH201209W221T可用于实现H桥结构中的低端开关，完成启停和方向切换功能。
　　此外，它也被用于各类传感器模块的供电控制，通过MCU按需开启或关闭传感器电源，达到节能目的。在智能家居、物联网终端、穿戴式设备等强调小型化和长续航的产品中，CBH201209W221T凭借其高集成度和高效率成为关键的功率开关选择。

AP2302GN-HF
　　SI2302DDS-T1-E3
　　AON6274