类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：12V
　　最大集电极电流（IC）：50mA
　　最大功耗（Ptot）：150mW
　　直流电流增益（hFE）：70 - 700（典型值取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：7GHz
　　噪声系数（NF）：0.7dB @ 1GHz
　　集电极-基极电容（Cob）：0.4pF @ VCB=1V
　　工作温度范围：-55°C 至 +155°C
　　封装类型：SC-89 或类似小型表面贴装封装

2SC3356G-B-AE2-R具备出色的高频放大能力，其过渡频率高达7GHz，使其在UHF和L波段等高频应用中表现优异。该晶体管在1GHz频率下的噪声系数仅为0.7dB，表明其具有极低的内部噪声水平，非常适合用于微弱信号的前置放大，例如在无线接收机的低噪声放大器（LNA）电路中。这种低噪声特性得益于器件内部结构的优化设计，包括精确控制的掺杂分布和极小的结电容，从而有效抑制了热噪声和散粒噪声的产生。
　　该器件的直流电流增益范围宽广，典型值在70至700之间，能够适应不同的偏置条件和电路设计需求。这种高且稳定的增益特性有助于提升系统的信噪比和信号完整性。同时，其集电极-基极电容（Cob）在1V反向偏压下仅为0.4pF，说明其具有非常小的寄生电容，这在高频应用中至关重要，因为它可以减少信号耦合损耗并改善高频响应。此外，低输入输出电容还有助于简化匹配网络的设计，降低外部元件数量，从而节省PCB空间并降低成本。
　　2SC3356G-B-AE2-R采用小型化表面贴装封装（如SC-89），尺寸紧凑，便于在高密度印刷电路板上进行布局，特别适用于便携式和手持式通信设备。该封装还具有良好的热传导性能和电气隔离特性，能够在有限的空间内实现可靠的高频信号放大。其工作温度范围从-55°C到+155°C，显示出卓越的环境适应性和长期运行稳定性，适用于工业级和汽车级应用场景。此外，该器件符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，支持无铅焊接工艺，符合现代绿色电子制造的趋势。

2SC3356G-B-AE2-R广泛应用于各类高频和射频电子系统中，尤其是在需要低噪声和高增益放大的场合。它常被用作无线通信设备中的低噪声放大器（LNA），例如在FM收音机、GPS导航模块、蓝牙和Wi-Fi射频前端电路中，负责对接收到的微弱射频信号进行初步放大，以提高接收灵敏度和系统整体性能。由于其在1GHz以下频段具有极低的噪声系数和高增益，因此特别适合用于UHF频段的信号接收与处理。
　　在无线传感器网络、远程遥控系统和物联网（IoT）设备中，该晶体管可用于构建小型化的射频发射或接收单元，实现远距离、低功耗的数据传输。此外，在电视调谐器、卫星通信终端和移动通信基站的小信号处理模块中，2SC3356G-B-AE2-R也能发挥重要作用。其高频响应能力和稳定性使其适用于宽带放大器设计，支持多种调制格式的信号处理。
　　在测试与测量仪器领域，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪中，该器件可用于构建高性能的前置放大电路，确保输入信号的保真度和动态范围。由于其封装小巧且易于集成，也适合用于模块化设计和多层PCB布局。在汽车电子系统中，如车载导航、胎压监测系统（TPMS）和遥控无钥匙进入系统（RKE）中，2SC3356G-B-AE2-R同样表现出良好的可靠性和抗干扰能力。总之，凡是涉及高频小信号放大的电子系统，都是2SC3356G-B-AE2-R的潜在应用场景。

MMBT3904LT1G
　　2SC3357G-B-AE2-R
　　BFR92A