时间：2025/6/9 17:52:51
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GA1210A821KBBAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，属于沟槽型 MOSFET 系列。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能，广泛应用于各种电源管理场景。
该型号中的 GA 表示其为功率半导体器件，1210A 指代具体的封装形式，821K 表示特定的电气参数等级，而 BBA 和 T31G 则进一步定义了产品的系列和技术版本。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：120V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：150W
工作温度范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
GA1210A821KBBAT31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，仅为 4.5mΩ，有助于降低导通损耗，提升效率。
2. 高速开关能力，具备较低的栅极电荷和输出电容，适合高频应用。
3. 出色的热稳定性设计，能够在高温环境下保持性能。
4. 增强的雪崩能力和抗静电能力，提升了器件的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代工业需求。
6. 支持大电流负载，能够承受高达 15A 的连续漏极电流。
该芯片适用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS) 中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 逆变器和 UPS 系统中的关键功率元件。
5. 工业控制设备中的功率转换模块。
6. 太阳能微逆变器及其他新能源相关应用。
GA1210A822KBBA, IRF840, STP120NF12Z
