时间：2025/7/9 14:24:44
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RF18N100J500CT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压的特点，非常适合于要求高效能和高可靠性的电路设计。
RF18N100J500CT 的封装形式为 TO-247，适合散热需求较高的应用场景，同时其出色的电气性能使其成为许多工业和消费电子领域的理想选择。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：18A
导通电阻：50mΩ
栅极电荷：36nC
开关时间：ton=9ns, toff=25ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
RF18N100J500CT 提供了卓越的电气性能和可靠性：
1. 高耐压能力（100V）使得它能够胜任各种高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（50mΩ），有效降低了导通损耗并提高了系统效率。
3. 快速的开关速度和较低的栅极电荷确保了在高频应用中的高效表现。
4. 宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃）使其适应极端环境条件。
5. TO-247 封装提供良好的散热性能，支持大功率操作。
该器件广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
4. 逆变器和 UPS 系统中的关键组件。
5. 各类工业设备和消费电子产品的功率管理模块。
RF18N100,
IRF18N100,
STP18NF10
