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2SB824S 发布时间 时间:2025/9/20 16:31:49 查看 阅读:6

2SB824S是一款由东芝(Toshiba)生产的P沟道晶体管,属于双极结型晶体管(BJT)类别,广泛应用于开关和放大电路中。该器件采用紧凑的表面贴装封装(SOT-23),适合高密度印刷电路板设计。2SB824S通常用于低电压、低功率应用场合,具备良好的热稳定性和可靠性。该晶体管的设计使其在关断状态下具有较低的漏电流,同时在导通状态下能够提供足够的电流驱动能力,适用于便携式电子设备中的电源管理、信号切换和负载控制等功能。
  作为P沟道器件,2SB824S在基极施加相对于发射极为负的偏置电压时导通,其工作原理基于空穴的注入与复合机制。由于采用了先进的半导体制造工艺,该晶体管具有较高的增益一致性与温度稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。此外,2SB824S符合RoHS环保标准,不含铅等有害物质,适用于现代绿色电子产品设计。

参数

类型:P沟道
  晶体管结构:PNP
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):200mW
  直流电流增益(hFE):最小70,最大400
  过渡频率(fT):150MHz
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装类型:SOT-23

特性

2SB824S晶体管具备优异的电气特性和稳定的热性能,适用于多种模拟与数字电路场景。其高直流电流增益(hFE)范围确保了在不同工作条件下仍能维持良好的放大能力,典型值可达70至400,这使得它在小信号放大电路中表现出色,例如音频前置放大器或传感器信号调理电路。该晶体管的过渡频率达到150MHz,意味着它可以在高频开关应用中有效运行,支持快速的开关响应,减少延迟和失真,适用于高速逻辑驱动或脉冲调制电路。
  该器件的最大集电极-发射极电压为50V,能够满足大多数低压系统的绝缘要求,同时最大集电极电流为100mA,足以驱动小型继电器、LED指示灯或其他低功耗负载。其最大功耗为200mW,在适当的散热条件下可长期稳定工作。SOT-23封装不仅节省空间,还提供了良好的热传导路径,有助于提升整体系统可靠性。此外,该封装形式便于自动化贴片生产,提高了制造效率并降低了成本。
  2SB824S具有较低的饱和压降(VCE(sat)),通常在160mV左右(测试条件IC=50mA, IB=5mA),这意味着在导通状态下能量损耗较小,有利于提高电源效率,尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。其反向漏电流(ICEO)也控制在较低水平,保证了在关断状态下的良好隔离性能,防止不必要的静态功耗。综合来看,2SB824S凭借其高增益、低功耗、小尺寸和高可靠性,成为众多消费类电子、工业控制和通信设备中的理想选择。

应用

2SB824S常用于各类低功率电子系统中,特别是在需要P沟道晶体管进行电平转换、电源开关或信号放大的场合。典型应用包括便携式电子设备中的电源管理模块,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路。在这些应用中,2SB824S可用于控制特定功能模块的供电通断,实现节能待机或按需唤醒功能。
  此外,该晶体管广泛应用于接口电路中,作为逻辑电平转换器使用,例如将微控制器输出的3.3V或5V信号转换为更高电压级别的控制信号,以驱动后续电路。在LED驱动电路中,2SB824S可用于恒流源或开关控制,精确调节亮度或实现动态点亮效果。它也可用于音频信号放大前端,作为前置放大器的一部分,处理来自麦克风或其他低电平信号源的输入。
  在工业控制领域,2SB824S可用于继电器驱动、传感器信号调理或光电耦合器的输出级放大。其高频率响应特性使其适用于脉宽调制(PWM)信号的放大与整形,从而提升控制系统精度。在通信设备中,该晶体管可用于射频信号的小信号放大或混频电路中,尤其是在低频段应用中表现稳定。总之,2SB824S因其通用性强、性能可靠而被广泛集成于各类嵌入式系统和模块化设计中。

替代型号

MMBT3906, BC857B, FMMT718, DTA143ES

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2SB824S参数

  • 电压, Vceo:-50V
  • 功耗, Pd:30W
  • 集电极直流电流:-5A
  • 直流电流增益 hFE:280
  • 封装类型:TO-220
  • 针脚数:3
  • 截止频率 ft, 典型值:30MHz