类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：30V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：12A
　　Rds(on)（最大值）：25mΩ（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSMT4（表面贴装）

BSPS4255TT 的主要特性之一是其极低的导通电阻 Rds(on)，典型值为 25mΩ，这使得在高电流工作条件下也能保持较低的导通损耗，提高整体系统效率。
　　此外，该器件具有较高的耐流能力，额定连续漏极电流可达 12A，适用于中高功率应用。其栅极驱动电压范围宽广，支持 10V 至 20V 的栅源电压，确保在不同驱动条件下都能稳定工作。
　　该 MOSFET 采用热性能优越的封装设计，能够有效散热，从而在高功率密度设计中提供良好的热稳定性。封装形式为 TSMT4，属于小型表面贴装封装，适用于自动化贴片工艺和高密度 PCB 布局。
　　在可靠性方面，BSPS4255TT 具有良好的高温稳定性和抗冲击能力，可在严苛环境中稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、便携式设备和电源管理模块等多种应用场景。

BSPS4255TT 主要应用于需要高效功率控制的场合，包括但不限于：DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及各种中高功率的开关电源设计。
　　在汽车电子领域，该器件可被用于车灯驱动、车载充电系统和电机控制模块。在工业自动化和控制系统中，它可用于 PLC 模块、传感器供电管理以及工业电源模块。
　　由于其低导通电阻和高电流承载能力，该 MOSFET 特别适合用于高效率要求的同步整流拓扑结构，如 LLC 谐振转换器和反激式电源等。此外，在便携式设备中，例如笔记本电脑、平板电脑和智能电池组中，该器件可用于高效能的电源切换和负载管理。

SiSS4255N, AO4255, FDS4255, FDMS4255