时间：2025/6/21 4:34:15
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HH15N1R5B500CT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用TO-247封装形式。该器件主要应用于高频开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。其设计特点包括低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够满足现代电力电子设备对效率和可靠性的严格要求。
HH15N1R5B500CT为N沟道增强型MOSFET，利用先进的半导体制造工艺实现高电流处理能力和良好的稳定性。此外，它具有极低的栅极电荷和输出电荷，从而减少了开关损耗并提升了整体系统效率。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：15A
导通电阻：1.5mΩ
栅源开启电压：4V
总栅极电荷：65nC
开关速度：非常快
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
HH15N1R5B500CT具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻确保了在高电流应用中具有较低的功耗。
2. 高额定漏源电压（500V）使其适用于高压环境。
3. 快速开关性能降低了开关损耗，特别适合高频应用。
4. 良好的热稳定性和可靠性保证了在恶劣条件下的长期使用。
5. TO-247封装提供卓越的散热性能，有助于提升器件的整体效能。
6. 宽泛的工作温度范围使得该器件能够在极端环境下正常运行。
HH15N1R5B500CT广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如工业级和消费级电源适配器。
2. 电机驱动电路，特别是在需要高效能量转换的场合。
3. DC-DC转换器，例如电动汽车中的电池管理系统。
4. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
5. 各种工业控制和自动化设备中的功率管理模块。
6. 高效谐振变换器和其他需要快速开关特性的应用。
IRFP260N, STP15NM50N, FDP18N50C
