2SB1462J-S 是一种双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),广泛应用于各种模拟和数字电路中。该器件具有高增益、低噪声以及良好的频率响应特性,适用于高频放大器、射频模块、混频器以及其他需要高性能信号处理的场景。
该型号是东芝(Toshiba)生产的NPN型晶体管,采用TO-18小型封装,具有较高的电流增益和较低的饱和电压,非常适合要求高效率和低失真的应用环境。
集电极-发射极击穿电压:40V
集电极最大连续电流:300mA
直流电流增益(hFE):最低50,典型值200
过渡频率(fT):300MHz
功耗:400mW
封装类型:TO-18
2SB1462J-S 是一款专为高频应用设计的晶体管,其主要特性包括:
1. 高增益:该晶体管具备较大的直流电流增益(hFE),使其在弱信号放大场合表现优异。
2. 低噪声:由于采用了先进的制造工艺,该晶体管能够有效降低噪声干扰,适用于通信设备中的前置放大器。
3. 高频性能:其过渡频率(fT)达到300MHz,使得该器件非常适合用于高频信号处理领域。
4. 稳定性:即使在温度变化或负载波动的情况下,该晶体管仍然能保持稳定的性能输出。
5. 小型封装:TO-18封装不仅节省空间,而且便于安装和散热。
2SB1462J-S 主要应用于以下领域:
1. 高频放大器:例如射频信号放大、无线通信设备等。
2. 振荡器和混频器:在调制解调器、收音机和其他音频处理系统中作为核心元件。
3. 信号调理电路:如滤波器、均衡器等。
4. 开关电路:可以用于驱动小功率负载或者作为逻辑门电路的一部分。
5. 测试与测量仪器:如示波器探头、信号发生器等对精度和稳定性有较高要求的设备中。
2SC3358, 2SB1462