时间：2025/9/7 16:47:42
阅读：21
2SK1528S 是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效功率控制的电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适用于各种开关和放大应用。其SMD（表面贴装器件）封装形式，使其适合在紧凑的电路板设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500V
最大漏极电流（ID）：3A
导通电阻（RDS(on)）：约3.5Ω（最大）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
最大功率耗散：30W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SMD（如SOT-223或类似封装）
2SK1528S MOSFET具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻可有效降低导通损耗，提高系统效率。其次，器件具有较高的击穿电压能力，确保在高压环境下稳定工作。此外，2SK1528S的封装设计优化了散热性能，使其能够在较高功率条件下长时间运行而不会过热。该器件的栅极驱动要求较低，适用于多种驱动电路，并具有良好的开关特性，降低了开关损耗。同时，其高可靠性和长寿命使其在工业和消费类应用中均具有良好的适应性。
在实际应用中，2SK1528S的稳定性和耐用性使其成为电源转换、电机控制和照明驱动等场景中的理想选择。
2SK1528S MOSFET常用于多种电子设备和系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机驱动器、家用电器控制电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其具备较高的电压和电流能力，该器件也适用于需要中等功率控制的电源管理系统和电池供电设备中的节能开关应用。
2SK2142, 2SK2545, 2SK170-Y
