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2SB1424T100Q 发布时间 时间:2025/12/25 10:37:38 查看 阅读:11

2SB1424T100Q是一款由东芝(Toshiba)生产的P沟道晶体管,属于双极结型晶体管(BJT)类别。该器件主要用于通用放大和开关应用,其封装形式为小型表面贴装型(S-Mini),适合在空间受限的电路板上使用。作为一款P型晶体管,它在电源管理、信号切换以及驱动电路中表现出良好的性能。该型号后缀中的'T100Q'通常代表其包装规格与制造批次信息或特定的电气等级,确保了产品的一致性和可靠性,在自动化贴片生产线上具有良好的兼容性。
  2SB1424系列的设计注重低饱和压降和较高的直流电流增益,使其适用于电池供电设备、便携式电子产品以及需要高效能开关行为的小功率系统。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,支持无铅焊接工艺,适应现代电子制造对环境友好材料的要求。凭借其稳定的电气特性和紧凑的封装尺寸,2SB1424T100Q被广泛应用于消费类电子、通信模块、工业控制单元以及汽车电子中的辅助电路中。

参数

类型:P沟道
  晶体管极性:PNP
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极-基极电压(VCBO):50V
  最大发射极-基极电压(VEBO):5V
  最大集电极电流(IC):-150mA
  最大耗散功率(PD):200mW
  直流电流增益(hFE):70~700(测试条件IC = -2mA, VCE = -5V)
  过渡频率(fT):80MHz
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  封装类型:S-Mini (USMT)

特性

2SB1424T100Q具备优异的开关特性,能够在高频条件下实现快速的导通与关断响应,这得益于其较高的过渡频率(fT=80MHz)。这一特性使得该晶体管不仅适用于传统的低频放大电路,还能胜任中高频信号处理任务。其开关速度主要受少数载流子存储时间的影响较小,配合优化的基区掺杂工艺,有效降低了开关延迟时间和存储时间,从而提升了整体动态响应能力。此外,该器件在小电流工作状态下仍能保持较高的电流增益,确保了在微弱信号放大时的稳定性与线性度。
  另一个显著特点是其宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),使其可以在极端环境条件下可靠运行,例如高温工业环境或低温户外设备中。这种热稳定性来源于其内部结构设计与高质量的半导体材料选择,能够抵抗因温度变化引起的参数漂移。同时,该晶体管的饱和压降较低,在最大额定电流下VCE(sat)典型值仅为0.25V左右(IC = -100mA, IB = -10mA),这意味着在用作开关元件时功耗更低,有助于提高系统的能效并减少散热需求。
  此外,2SB1424T100Q采用S-Mini小型表面贴装封装,体积小巧,占用PCB面积少,非常适合高密度集成的现代电子设备。该封装还具有良好的热传导性能和机械强度,能够在回流焊过程中承受高温而不损坏。引脚布局符合行业标准,便于与其他元器件进行布局布线,并且支持自动化贴片生产,提升制造效率。由于其高度一致的电气参数和严格的品质控制流程,该器件在批量使用时表现出极佳的互换性和良品率,降低了生产调试难度和返修成本。

应用

2SB1424T100Q广泛应用于各类中小功率电子系统中,尤其适合作为开关或放大元件使用。在便携式消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等,常用于LED背光驱动、电源路径切换、电池充放电控制等场景。其低功耗特性和小封装优势使其成为移动设备的理想选择。
  在工业控制领域,该晶体管可用于继电器驱动、传感器信号调理、逻辑电平转换以及微控制器输出级的接口电路。由于其具备较强的抗干扰能力和稳定的增益表现,可在噪声环境中维持正常工作。此外,在通信设备中,2SB1424T100Q也常用于射频前端的小信号放大或调制解调电路中的有源负载,发挥其高频响应优势。
  汽车电子方面,虽然不直接用于主动力系统,但在车身控制系统(如车灯控制、门锁驱动)、车载信息娱乐系统及仪表盘显示驱动中也有广泛应用。其符合AEC-Q101可靠性标准的可能性较高(需查阅具体认证资料),增强了在振动、湿度和温度交变环境下的耐久性。总之,该器件因其多功能性、高可靠性和成本效益,已成为许多嵌入式系统设计中的常用元件之一。

替代型号

[
   "2SB1424",
   "2SB1424T100",
   "MMBT3906",
   "BC807",
   "BC807-40",
   "KSP2907"
  ]

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2SB1424T100Q参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 100mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大500mW
  • 频率 - 转换240MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装MPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SB1424T100QTR