时间：2025/7/17 22:00:23
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GRT1555C1H180FA02D是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，适用于高频、高效率电源转换应用。该芯片集成了先进的驱动电路和保护功能，能够在高频工作条件下实现低损耗和高可靠性。其封装形式为表面贴装型，适合自动化生产需求。
型号：GRT1555C1H180FA02D
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压（Vds）：600V
最大连续漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：180mΩ
栅极驱动电压范围（Vgs）：4V 至 6V
开关频率：最高可达 5MHz
封装形式：QFN-8
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GRT1555C1H180FA02D采用了先进的氮化镓半导体材料，具有卓越的高频特性和低导通电阻，能够显著降低开关损耗和导通损耗。
其内置的保护功能包括过流保护、短路保护以及热关断保护，从而提高了系统的稳定性和可靠性。
由于其支持高频操作，可以大幅减小外部无源元件的体积，例如电感和电容，使得整体解决方案更加紧凑。
此外，该器件具备极低的输入和输出电荷，进一步优化了动态性能并减少了电磁干扰（EMI）。
GRT1555C1H180FA02D还通过了严格的可靠性测试，符合工业级标准，适用于恶劣的工作环境。
这款氮化镓功率开关器件广泛应用于高频DC-DC转换器、无线充电模块、服务器电源、电动工具驱动电路以及新能源汽车中的车载充电器等场景。
在消费电子领域，它被用于快速充电器以实现更高的功率密度和更小的体积。
在工业控制方面，该器件可作为高频逆变器的核心元件，满足高效能量转换的需求。
此外，它也适用于各类需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。
GRT1555C1H150FA02D
GRT1555C1H200FA02D
