晶体管类型：PNP型双极性晶体管（BJT）
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：82-180（根据后缀不同）
　　过渡频率（fT）：80MHz（典型值）

2SB1184(82-180) 是一款通用型PNP晶体管，具有良好的稳定性和可靠性。
　　该晶体管采用TO-92封装，体积小巧，便于在各种电路板上安装和使用。
　　其集电极-发射极电压（VCEO）为30V，能够满足大多数低电压应用的需求。
　　最大集电极电流为100mA，适合用于低功耗开关和信号放大。
　　电流增益（hFE）在82到180之间，提供了较高的放大能力，适合用于需要一定增益的放大电路。
　　过渡频率（fT）为80MHz，使得该晶体管可以在中频范围内有效工作。
　　该晶体管的功耗较低，最大功耗为300mW，适用于对功耗敏感的设计。
　　由于其标准化的引脚排列和参数特性，2SB1184(82-180) 可以方便地用于替代其他类似的PNP晶体管。
　　此外，该晶体管具备良好的温度稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作，适用于工业和消费类电子产品。

2SB1184(82-180) 主要用于通用开关和放大电路。其典型应用包括：
　　低频放大器：用于音频放大电路中的前置放大级，提供良好的信号放大能力。
　　开关电路：在数字电路或控制电路中用作开关元件，控制负载的通断。
　　逻辑电平转换：用于不同电压电平之间的信号转换。
　　驱动LED和继电器：作为驱动元件控制LED灯或小型继电器。
　　传感器接口电路：用于将传感器信号进行放大或处理，以适配后续电路。
　　消费类电子产品：如遥控器、玩具、小家电等产品中的控制和信号处理电路。
　　由于其良好的性能和低成本，2SB1184(82-180) 在各种电子项目和教学实验中也得到了广泛应用。

2SB709, 2SB1184-O, 2SB1184-Y, 2SB1184-GR