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2SB1123T-TD-E 发布时间 时间:2025/6/18 9:09:21 查看 阅读:5

2SB1123T-TD-E是一种双极性晶体管(BJT),属于东芝公司的高速开关三极管系列。该型号主要设计用于高频率开关应用,其卓越的性能和可靠性使其在众多电子电路中得到广泛应用。此器件采用了先进的制造工艺,确保了低饱和电压、高增益以及出色的热稳定性。
  这种晶体管适用于功率放大器、高频开关电路、脉宽调制(PWM)控制器以及其他需要高性能晶体管的应用场景。

参数

集电极-发射极电压:50V
  集电极电流:1.5A
  直流电流增益(hFE):最小值80,典型值160
  集电极耗散功率:450mW
  过渡频率:700MHz
  存储温度范围:-55℃至+150℃
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

2SB1123T-TD-E具有以下显著特性:
  1. 高速切换能力,过渡频率高达700MHz,非常适合高频应用。
  2. 低饱和电压,在导通状态下可以实现高效的能量转换。
  3. 热稳定性强,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
  4. 高增益特性,直流电流增益(hFE)保证在80到160之间,能够提供可靠的信号放大功能。
  5. 小型化封装设计,方便在紧凑型电路板上布局。
  6. 符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

该晶体管适合应用于多种领域:
  1. 开关电源中的高频开关元件。
  2. 脉宽调制(PWM)控制器的核心组件。
  3. 音频功率放大器中的驱动级或输出级。
  4. 各种工业控制设备中的信号调节与放大模块。
  5. 高速通信设备中的数据传输及信号处理部分。
  6. 消费类电子产品中的各类控制电路。
  总之,由于其卓越的性能,2SB1123T-TD-E是许多现代电子系统中不可或缺的一部分。

替代型号

2SB1122, 2SC5268

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2SB1123T-TD-E参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)700mV @ 50mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大500mW
  • 频率 - 转换150MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装PCP
  • 包装带卷 (TR)