类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：160A（Tc=25℃）
　　最大漏-源极电压（VDS）：40V
　　最大栅-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.7mΩ（当VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装封装）

TK11640JITX具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，该MOSFET采用了东芝先进的沟槽栅极技术，使电流在导通状态下更均匀地分布，从而提高了器件的热稳定性和长期可靠性。
　　该器件的高电流承载能力使其适用于大功率负载开关和DC-DC转换器。在同步整流应用中，TK11640JITX能够有效降低传导损耗，提高转换效率。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，使其适用于高频开关电源设计。
　　TK11640JITX具有良好的热管理性能，SOP封装支持高效的散热设计，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作温度。该器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（如5V或10V驱动），便于与各类控制器或驱动IC配合使用，降低了系统设计的复杂度。
　　该MOSFET的高可靠性使其适用于工业自动化、汽车电子、通信设备和消费类电源管理应用。其工作温度范围宽，能够在-55°C至150°C之间稳定工作，适应各种恶劣环境。

TK11640JITX广泛应用于各类功率电子系统中，包括但不限于：高性能DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、服务器电源、通信设备电源模块、电动车充电系统以及工业自动化控制电路。该器件的高效率和高可靠性使其成为要求严苛的电源管理应用的理想选择。

SiR142DP-T1-GE3, Nexperia PSMN2R0-40YSC, Infineon BSC028N04LS G