时间：2025/12/27 8:28:21
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2SA684G-Q-AB3-R是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的P沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽式结构制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性等特点，适用于电池供电设备、便携式电子产品以及DC-DC转换器等对效率和空间要求较高的场合。该型号为表面贴装型封装（通常为SOT-23或小型DFN类封装），便于在紧凑的PCB布局中使用，并支持自动化贴片生产流程。器件命名中的后缀“-Q”表示其符合汽车级可靠性标准，“AB3-R”代表卷带包装形式，适合大规模贴装作业。2SA684G-Q-AB3-R特别针对低电压驱动环境优化设计，能够通过3.3V甚至更低的栅极驱动电压实现充分导通，从而兼容现代低功耗逻辑控制信号。此外，该器件具有较低的栅极电荷和输入电容，有助于减少开关损耗，提升系统整体能效。由于其优良的电气性能与稳定性，2SA684G-Q-AB3-R常被用于负载开关、逆变电路、电机控制以及各类电源管理模块中。
型号：2SA684G-Q-AB3-R
制造商：ROHM Semiconductor
晶体管类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：-30V
最大连续漏极电流（Id）：-4.4A
最大脉冲漏极电流（Id_pulse）：-12A
最大栅源电压（Vgs）：±20V
阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
导通电阻Rds(on)：45mΩ（@ Vgs = -10V, Id = -2.2A）
导通电阻Rds(on)：55mΩ（@ Vgs = -4.5V, Id = -2.2A）
导通电阻Rds(on)：60mΩ（@ Vgs = -2.5V, Id = -1.5A）
输入电容（Ciss）：约400pF（@ Vds=15V）
输出电容（Coss）：约120pF
反向传输电容（Crss）：约40pF
栅极电荷（Qg）：约9nC（@ Vgs=10V）
功耗（Pd）：1.5W（Tc=25°C）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SML（SOT-23可焊性兼容的小型表面贴装封装）
2SA684G-Q-AB3-R采用了ROHM专有的沟槽栅极MOSFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能。其核心优势在于在低栅极驱动电压下仍能保持良好的导通能力，例如在-2.5V的Vgs条件下，Rds(on)仅为60mΩ，这使得它非常适合用于由3.3V或1.8V逻辑信号直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换电路。器件具备出色的热稳定性和电流处理能力，在高温环境下仍能维持稳定的电气特性，确保长时间运行的可靠性。
该MOSFET具有低输入和输出电容，显著降低了高频开关过程中的动态损耗，提高了电源系统的转换效率。同时，较小的栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需提供的瞬态电流更小，减轻了控制器负担，有利于降低整体功耗。此外，器件内部结构经过优化，有效抑制了米勒效应，增强了抗噪声干扰能力，避免因寄生电容耦合导致的误触发现象。
2SA684G-Q-AB3-R符合AEC-Q101汽车电子可靠性标准，表明其可在严苛的车载环境中稳定工作，包括剧烈温度变化、振动和电磁干扰等复杂条件。这一特性使其不仅适用于工业和消费类电子，也广泛用于汽车电子系统中的电源切换、LED驱动、电机控制等领域。封装采用小型化设计，占用PCB面积小，配合高散热效率的引脚布局，可在有限空间内实现高效散热。此外，产品采用无铅环保材料制造，符合RoHS和REACH环保规范，支持绿色电子产品设计。
2SA684G-Q-AB3-R主要应用于需要高效、小型化和高可靠性的电源管理系统中。典型用途包括便携式设备中的电池供电开关，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于控制电池与主系统的连接与断开，以实现节能待机或过载保护功能。
在DC-DC转换器电路中，该器件常作为同步整流管或高端开关使用，特别是在降压（Buck）拓扑中，能够显著降低传导损耗，提高转换效率。此外，它也适用于负载开关电路，用于控制不同功能模块的供电通断，防止启动时的浪涌电流影响系统稳定性。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统、LED照明驱动以及传感器供电管理等场景。其AEC-Q101认证确保了在-40°C至+125°C甚至更高结温下的长期可靠性。
其他应用还包括电机驱动电路中的H桥低端开关、USB电源管理、热插拔控制器、逆变器以及各种嵌入式控制系统中的功率开关元件。得益于其优异的电气特性和紧凑封装，2SA684G-Q-AB3-R是现代高密度、高性能电子设计的理想选择之一。
DMP2006UFG
