时间：2025/8/2 6:07:54
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2SA1419T-TD-E 是一款由东芝（Toshiba）制造的PNP型晶体管，属于高频放大器晶体管类别。该晶体管专门设计用于在高频率下工作，具有优异的性能和稳定性，适合应用于高频放大器、射频（RF）电路以及高频振荡器等场景。其封装形式为TD（通常为小型表面贴装封装），便于在高密度印刷电路板（PCB）上使用。
类型：PNP型晶体管
封装：TD（表面贴装）
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
最大功耗（Pd）：150mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
过渡频率（fT）：80MHz
电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
噪声系数（NF）：4dB（典型值）
应用频率范围：低频至高频（HF）
2SA1419T-TD-E 晶体管具有多项优异特性，使其在高频应用中表现出色。首先，其高频性能得益于高达80MHz的过渡频率（fT），使得该晶体管能够在高频信号放大任务中保持良好的增益和稳定性。其次，该器件的噪声系数较低，典型值为4dB，这在低噪声放大器（LNA）中尤为重要，有助于提高系统的信噪比。
此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800不等，具体取决于等级，这使得用户可以根据设计需求选择合适的增益级别。其PNP结构和小型表面贴装封装（TD）不仅节省空间，还提高了电路板的组装效率和可靠性。
该晶体管还具有良好的热稳定性和较高的工作温度耐受能力，可在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适用于工业级和汽车电子等对温度要求较高的应用场景。此外，其最大功耗为150mW，在高频率下仍能保持较低的功耗，有助于延长设备的使用寿命并减少散热设计的复杂度。
2SA1419T-TD-E 晶体管广泛应用于需要高频信号放大的电路设计中。例如，在射频（RF）前端模块中，它可以用作低噪声放大器（LNA），提高接收信号的强度和清晰度。此外，该晶体管也常用于无线通信设备、广播接收器、高频振荡器以及音频放大器的前置级放大电路。
由于其良好的噪声性能和高频响应，2SA1419T-TD-E 也适合用于模拟信号处理电路，如调幅（AM）和调频（FM）接收器中的中频（IF）放大器。在工业自动化和汽车电子领域，该晶体管可用于高频传感器信号的放大与处理，确保数据采集的准确性和稳定性。
另外，该晶体管的小型封装形式（TD）非常适合高密度PCB布局，适用于便携式设备和小型化电子产品的设计。
2SA1387, 2SA1299, 2SA1129, BC556
