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PZT751T1G 发布时间 时间:2025/5/10 14:41:48 查看 阅读:7

PZT751T1G是一种压电陶瓷材料制成的压电元件,通常用于需要高精度振动控制和微位移驱动的应用场景。该元件基于锆钛酸铅(PZT)材料,具有较高的机电耦合系数和灵敏度。PZT751T1G广泛应用于超声波传感器、精密定位系统、微型泵、打印机喷头以及医疗设备等领域。
  其核心特性在于能够通过施加电压产生机械变形,并且可以将机械振动转化为电信号,实现双向能量转换。

参数

类型:压电元件
  材料:锆钛酸铅(PZT)
  尺寸:根据具体型号而定
  额定电压:依据应用范围不同可支持数十伏到数百伏
  工作温度范围:-20℃至+80℃
  相对介电常数:约1500
  机械品质因数:较高
  频率响应范围:几kHz至数MHz

特性

PZT751T1G以其高灵敏度和快速响应能力著称,能够在低功耗条件下提供稳定的性能输出。其压电效应非常显著,使得它在受到外力作用时能有效生成电荷,在施加电压后则会产生精确的形变。
  此外,PZT751T1G还具备良好的稳定性和耐久性,即使在长时间使用或复杂环境下也能保持一致性表现。这种元件对环境湿度和温度的变化较为敏感,因此在设计中需注意防护措施以避免性能下降。

应用

PZT751T1G适用于多种工业和消费类电子领域,例如超声波清洗设备、雾化器、流量计、液位传感器等。在自动化控制领域,它可以用作微位移执行器来实现纳米级的精准移动。
  同时,PZT751T1G也被广泛应用于医疗行业,如超声波诊断仪、牙科洁牙机等。另外,在航空航天和国防领域,由于其出色的抗冲击能力和可靠性,也被用作高性能传感器和驱动器组件。

替代型号

PZT751T2G
  PZT752T1G
  PZT760T1G

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PZT751T1G参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)75 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大800mW
  • 频率 - 转换75MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称PZT751T1GOSPZT751T1GOS-NDPZT751T1GOSTR