PUMD13 时间：2025/9/16 14:28:59 阅读：21

PUMD13是一款由STMicroelectronics制造的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件适用于各种高功率和高频应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及照明系统等。PUMD13采用了先进的PowerFLAT封装技术，能够有效降低热阻，提高散热效率，确保在高负载条件下依然保持稳定运行。该晶体管的设计使其在导通电阻（Rds(on)）和开关损耗之间取得了良好的平衡，从而提升了整体系统效率。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：30A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（典型值）
　　最大功率耗散：130W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6 HV

特性

PUMD13具有多项优异的电气和热性能，使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率并减少了对散热器的需求。此外，该器件的高电流承载能力和良好的热稳定性，使其在高功率密度应用中表现出色。PUMD13采用了先进的沟槽栅技术，确保了快速的开关速度和较低的开关损耗，适用于高频开关应用。其高耐压能力和良好的雪崩能量承受能力，进一步增强了器件的可靠性和耐用性。同时，PUMD13的PowerFLAT封装设计提供了出色的散热性能，使得该器件能够在高温环境下稳定运行。最后，该MOSFET具备高抗干扰能力和良好的栅极氧化层稳定性，有助于防止因电压尖峰或静电放电引起的损坏。

应用

PUMD13广泛应用于各种高功率和高频电子系统中。常见的应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动和控制电路、照明系统（如LED驱动器）以及工业自动化设备。由于其出色的导通性能和热管理能力，PUMD13也常用于需要高效能和高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载逆变器等。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，PUMD13也发挥着重要作用。