类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40 V
　　最大集电极电流（IC）：200 mA
　　最大功率耗散（PD）：300 mW
　　频率（fT）：100 MHz
　　电流增益（hFE）：50 - 800（根据工作电流）
　　封装类型：SOT-23

2R4000T-8 晶体管具有多项优良特性，使其在高频电子应用中表现出色。
　　首先，其高频性能高达 100 MHz（fT），使其适用于射频放大器和高速开关电路等场景。该晶体管的过渡频率（fT）定义为电流增益下降到1时的频率，这一参数表明其在高频下仍能维持良好的放大能力。
　　其次，该器件的电流增益（hFE）范围广泛，从50到800不等，具体数值取决于集电极电流的大小。这种可变增益特性使其适用于多种放大电路设计，例如低噪声放大器和前置放大器。
　　此外，2R4000T-8 采用 SOT-23 封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。其最大集电极-发射极电压为40V，最大集电极电流为200mA，适用于中等功率的高频电路应用。
　　该晶体管还具有良好的热稳定性与可靠性，适用于工作温度范围较宽的工业和通信设备中。在设计射频振荡器、混频器、调制解调器等高频电路时，2R4000T-8 是一个可靠的选择。

2R4000T-8 广泛应用于高频电子电路中，尤其是在射频（RF）相关领域。例如，该晶体管常用于构建射频放大器，以提升信号强度并确保信号传输的稳定性。此外，它还适用于高速开关电路，在数字通信系统中实现快速信号切换。
　　在无线通信系统中，2R4000T-8 常用于射频前端电路中的低噪声放大器（LNA），以提高接收灵敏度。同时，它也可用于振荡器电路，产生稳定的高频信号供调制使用。
　　由于其优异的高频特性和稳定的增益表现，2R4000T-8 还被广泛应用于测试设备、无线模块、卫星通信设备、无线传感器网络以及工业控制系统的高频电路部分。

BC847, 2N3904, BFQ19, MMBF4000