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W631GU8MB-12 发布时间 时间:2025/8/21 4:48:07 查看 阅读:5

W631GU8MB-12 是一款由 Winbond(华邦电子)生产的 NOR 闪存存储器芯片,广泛应用于需要高速读取和可靠存储的场景。该芯片具有 8Mbit(1MB)的存储容量,采用 8 引脚 SOP 或 SOIC 封装形式,适用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。

参数

容量:8Mbit(1MB)
  封装类型:8 引脚 SOP/SOIC
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  读取速度:12ns(最大)
  接口类型:并行 NOR Flash 接口
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

W631GU8MB-12 的 NOR Flash 架构支持随机访问和快速读取,适合存储代码和关键数据。其高速访问时间(12ns)确保了在高性能系统中的稳定运行。此外,该芯片具备高可靠性和耐用性,能够承受恶劣的工作环境,包括高温和低温条件。内置的擦写保护机制可防止数据意外丢失,提升了数据存储的安全性。
  这款芯片的另一个显著特点是其并行接口设计,允许与多种主控芯片兼容,简化了硬件设计和集成过程。同时,W631GU8MB-12 还支持多种操作模式,包括读取、编程、擦除等,以满足不同应用场景的需求。

应用

W631GU8MB-12 主要用于需要代码存储和快速执行的嵌入式系统中,例如路由器、交换机、工业控制器、医疗设备、手持设备以及汽车导航系统。由于其高稳定性和兼容性,该芯片也常用于固件存储、启动代码存储和小型数据存储任务。

替代型号

W29C080APZ-12, AM29LV800BB-120RE, S29AL008D12BAI030

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W631GU8MB-12参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(10.5x8)