时间：2025/9/1 8:44:17
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IS61NLP25636A-250TQL 是一颗由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于异步SRAM类别。该器件采用高性能的CMOS技术制造，提供高速数据访问和低功耗特性，适用于对功耗和性能都有较高要求的嵌入式系统和通信设备。该芯片的容量为9MB（256K x 36位），采用166引脚TQFP封装，适用于工业级温度范围，具备良好的稳定性和可靠性。
容量：9MB（256K x 36位）
访问时间：250MHz（最快）
电源电压：2.3V - 3.6V
封装类型：166引脚TQFP
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：异步SRAM
数据宽度：36位
功耗：典型工作电流约180mA（待机时低至10mA）
IS61NLP25636A-250TQL 的主要特性包括高速访问、低功耗设计、宽电压工作范围和高可靠性。其高速访问时间为250MHz，能够满足高性能嵌入式系统的数据处理需求。此外，该芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），增强了其在不同应用环境中的兼容性。
低功耗是该SRAM的一大亮点，芯片在待机模式下功耗极低，适用于对电池寿命有严格要求的便携式设备。同时，该器件采用CMOS工艺，减少了静态电流消耗，提高了整体能效。
封装方面，IS61NLP25636A-250TQL 使用166引脚TQFP封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适用于工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在恶劣环境下的稳定运行。
此SRAM芯片支持异步接口，无需外部时钟同步，简化了系统设计和时序控制。此外，其高可靠性和长寿命特性使其广泛应用于工业控制、网络设备、通信模块和测试仪器等对数据稳定性要求较高的场景。
IS61NLP25636A-250TQL 适用于需要高速缓存和临时数据存储的多种电子系统。常见的应用包括工业控制系统、嵌入式系统、网络交换设备、路由器、通信模块、测试与测量仪器以及医疗设备等。由于其低功耗和宽电压特性，该芯片也常用于便携式设备和电池供电系统中，如数据采集器、智能传感器和手持式测试设备等。在需要高可靠性和工业级稳定性的场景中，IS61NLP25636A-250TQL 也是一个理想的选择。
IS61NLP25636A-250TQ, IS61LV25636A-10B, CY7C1380D-250B, IDT71V41636A-10P
