2N707 时间：2025/9/2 19:25:26 阅读：11

2N707 是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，广泛用于开关电源、马达控制和逆变器等应用中。它具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻，适用于高频开关操作。该器件采用TO-220封装，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：10A
　　功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.3Ω（典型值）
　　开启阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　封装形式：TO-220

特性

2N707 的主要特性包括高电流承载能力、低导通电阻以及适用于高频开关操作。其高栅极绝缘性能保证了在较高栅源电压下的稳定性，同时其TO-220封装设计有助于有效散热，提高器件在高功率应用中的可靠性。
　　该MOSFET具有快速开关特性，能够在较高的频率下工作，从而减小外围电路的体积和重量。此外，2N707 在导通状态下的低RDS(on)特性可以降低导通损耗，提高整体系统效率。
　　这款器件在过载和短路情况下表现出良好的耐用性，适合用于要求较高稳定性和可靠性的电源系统中。其设计允许在较宽的温度范围内稳定工作，适应各种工业环境的应用需求。

应用

2N707 常用于开关电源、直流电机控制、逆变器、电池充电器、负载开关和电源管理系统中。它也适用于需要高频操作和高效能转换的电子电路设计，如DC-DC转换器和LED驱动电路。
　　此外，该MOSFET还可用于工业自动化设备、电动工具、电动车辆和智能家电的电源管理模块中。其高可靠性和良好的热性能使其在恶劣环境下也能稳定运行。