额定电压：650V
　　额定电流：200A
　　导通压降：典型值2.4V（@200A，25°C）
　　最大工作温度：175°C
　　短路耐受能力：10μs @ 800V
　　绝缘耐压等级：3kV
　　封装尺寸：120mm x 75mm x 10mm
　　重量：约150g
　　引脚配置：双面散热型（DSC）
　　栅极驱动电压范围：-5V 至 +20V

MIXD200W650TEH 采用碳化硅MOSFET芯片技术，具备出色的电气性能和热稳定性。其低导通压降和极低的开关损耗显著提高了系统效率，特别是在高频开关应用中表现尤为突出。此外，该模块具备优异的短路耐受能力和高温工作能力，确保在严苛工况下的可靠性。
　　模块的封装设计采用了双面散热结构（DSC），有效提升了散热效率，降低了热阻，延长了器件的使用寿命。同时，其高绝缘等级和优异的爬电距离设计满足了工业级和汽车级应用的安全要求。
　　该模块还内置了温度传感器，便于实现精确的温度监控和保护功能。此外，MIXD200W650TEH 的标准化封装尺寸和通用引脚排列，使其具有良好的可替换性和系统兼容性，便于集成到多种功率变换系统中。

MIXD200W650TEH 主要应用于高功率密度和高效率需求的电力电子系统中。例如，它广泛用于电动汽车的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、牵引逆变器等关键部件中，以提升能效和系统可靠性。
　　在可再生能源领域，该模块适用于光伏逆变器、储能系统逆变器以及风力发电变流器等设备，帮助实现更高的转换效率和更小的系统体积。
　　在工业应用中，MIXD200W650TEH 可用于伺服驱动器、机器人控制系统、高频感应加热电源等场合，满足对高频率、高效率和高可靠性的苛刻要求。
　　此外，该模块也可用于轨道交通、智能电网、UPS不间断电源等高端电力电子系统，为现代电力电子设备提供高效、紧凑的功率解决方案。

CMF2000HB-65S、Wolfspeed的CAS300M12BM2、Infineon的FS200R06W1B23DM