型号：G3VM-355JRTR
　　类型：MOS FET继电器（双常开）
　　输入正向电流（IF）：20 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　LED正向电压（VF）：1.3 V（典型值）
　　输出导通电阻（RON）：55 mΩ（最大值）
　　输出耐压（VOFF）：35 V
　　负载电流（连续）：1.2 A
　　负载电流（峰值）：3.6 A
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSON4
　　隔离电压：5000 Vrms
　　回路之间电容：7 pF（典型值）
　　开启时间：0.3 ms
　　关闭时间：0.2 ms

G3VM-355JRTR的核心优势在于其超低的导通电阻，典型值仅为55mΩ，这一特性显著降低了在大电流应用下的功率损耗和发热，提升了系统的整体能效。由于采用MOSFET作为输出开关元件，其导通状态类似于一个低阻值的电阻，不会像传统继电器那样存在接触压降或电弧问题，从而确保了信号传输的稳定性和一致性。此外，低RON还意味着在模拟信号切换中能够减少信号失真，保持较高的信号完整性，特别适合用于精密测量和音频信号路由等对信号质量要求较高的场合。
　　该器件具备高达5000Vrms的输入-输出隔离电压，提供了出色的电气隔离性能，有效防止高压窜入控制侧，保护敏感的微控制器和逻辑电路。这种高隔离能力使其能够在工业环境和医疗设备中安全使用，满足严格的安全标准。同时，器件内部的光耦结构实现了完全的电绝缘，避免了地环路干扰和噪声耦合，提升了系统的抗干扰能力。
　　G3VM-355JRTR采用表面贴装TSON4封装，体积小、重量轻，非常适合自动化贴片生产和高密度电路板设计。其封装还具有良好的热传导性能，有助于将内部产生的热量迅速散发，提高长期运行的可靠性。器件无机械运动部件，因此不受振动、冲击等物理环境影响，寿命远超传统电磁继电器，可达数十万次以上的开关操作。
　　该继电器支持双向导通，可用于交流或直流负载的开关控制，灵活性高。其快速的开关响应时间（开启约0.3ms，关闭约0.2ms）使其适用于需要高速切换的应用场景，如自动测试设备（ATE）中的信号路由切换。此外，器件具有较低的输入驱动电流需求（典型20mA），可直接由微控制器I/O口驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计并降低了成本。

G3VM-355JRTR广泛应用于多种需要高可靠性和小尺寸的电子系统中。在通信设备中，它常用于信号路径的选择与切换，例如在多通道射频前端模块中实现天线或滤波器的切换，其低导通电阻和低寄生电容有助于保持高频信号的完整性。在工业自动化领域，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的I/O模块，实现对传感器信号或执行器的隔离控制，提升系统的抗干扰能力和安全性。
　　在测试与测量仪器中，G3VM-355JRTR被用于构建多路复用器或矩阵开关系统，能够快速、精确地切换待测信号，适用于自动测试设备（ATE）和数据采集系统。其高隔离电压和低漏电流特性确保了测量精度，避免了通道间的串扰。
　　在医疗电子设备中，由于其高隔离性和可靠性，该继电器可用于患者连接的监测设备中，实现信号通路的安全隔离，符合医疗安全标准。此外，在电池供电的便携式设备中，如手持式仪表或物联网终端，G3VM-355JRTR的低功耗和小型化设计有助于延长电池寿命并节省空间。
　　该器件也适用于音频设备中的静音控制或输入源切换，因其无触点特性不会产生咔嗒声或接触噪声，提供更纯净的音频体验。在电源管理系统中，可用于电池切换或多电源选择电路，实现无缝电源切换。总之，G3VM-355JRTR凭借其高性能和紧凑设计，成为现代电子系统中不可或缺的关键元器件。

G3VM-351LRTR
　　G3VM-352LRTR
　　G3VM-353LRTR