时间：2025/8/14 22:40:38
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2N7002KWT/R是一款常见的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电路、逻辑电平转换以及低功率电源管理等领域。该器件采用SOT-23（小外形晶体管）封装，适合表面贴装工艺，具有良好的热稳定性和高频响应能力。2N7002KWT/R的设计使其适用于广泛的通用开关应用，尤其是在需要低栅极电荷和快速开关特性的场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：110mA
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
2N7002KWT/R具有多项优异的电气特性和设计优势，适用于各种通用开关应用。
首先，其漏源电压（VDS）可达60V，允许在中等电压应用中使用，如电源管理和负载开关电路。栅源电压为±20V，提供较高的栅极驱动灵活性，同时确保器件的长期可靠性。
其次，该MOSFET的最大连续漏极电流为110mA，适用于低至中等功率的开关控制任务。其低导通电阻（RDS(on)）在栅源电压为10V时通常低于5Ω，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
此外，2N7002KWT/R采用SOT-23封装，具有良好的热管理和高频响应能力，适合高频开关应用。该封装也使得它易于集成到紧凑的PCB布局中，适用于便携式电子设备和嵌入式系统。
该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，符合工业级温度标准，适用于恶劣环境条件下的稳定运行。
2N7002KWT/R常用于各种电子系统中，如电源管理模块、LED驱动电路、继电器驱动器、逻辑电平转换器、电池供电设备以及微控制器外围接口电路。其快速开关特性使其适用于数字开关应用，例如I/O扩展器和信号切换电路。此外，它也可用于音频放大器中的电源控制、马达驱动电路以及各种传感器接口设计。
2N7002DW-7-F, BSS138, 2N7000, FDN337N
