时间:2025/12/27 7:44:16
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FIR5N60FG是一款由Fairchild Semiconductor(现属于ON Semiconductor)生产的高压MOSFET晶体管,专为高效率开关电源应用而设计。该器件采用先进的平面条纹式场截止技术(Planar Stripe Field-Stop Technology),能够在600V的漏源电压下实现优异的导通电阻与栅极电荷平衡,从而优化功率转换系统的整体性能。FIR5N60FG属于超级结MOSFET系列的一种改进型产品,具备低导通损耗、快速开关速度以及良好的热稳定性等特点,适用于多种中等功率等级的电力电子设备。
FIR5N60FG封装形式为TO-220F,具有良好的散热能力和机械强度,适合穿心固定于散热片上以提升长期运行的可靠性。其内部结构经过优化,有效降低了寄生电容和反向恢复电荷,有助于减少开关过程中的能量损耗,并抑制电磁干扰(EMI)。此外,该器件还具备较高的雪崩能量承受能力,增强了在异常工况下的鲁棒性,例如负载突变或短路瞬态事件。
由于其出色的电气特性和稳定性,FIR5N60FG广泛应用于AC-DC开关电源、离线式变换器、LED照明驱动电源、适配器、充电器以及光伏逆变器等场景。它特别适用于需要连续工作在高频开关状态下的拓扑结构,如反激式(Flyback)、正激式(Forward)和LLC谐振转换器。工程师在设计此类电源时通常会关注其安全工作区(SOA)、热阻特性以及栅极驱动兼容性,而FIR5N60FG在这几个方面均表现出良好适应性,便于系统集成与调优。
型号:FIR5N60FG
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):600V
漏极电流(Id):5A(25°C)
栅源电压(Vgs):±30V
导通电阻(Rds(on)):1.8Ω(max @ Vgs=10V)
阈值电压(Vgs(th)):3~5V
输入电容(Ciss):950pF @ Vds=25V
输出电容(Coss):270pF @ Vds=25V
反向恢复时间(trr):45ns
二极管反向恢复电荷(Qrr):35nC
最大功耗(Pd):46W
工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220F
FIR5N60FG的核心特性之一是其在600V耐压等级下实现了较低的导通电阻,典型值在1.8Ω以内,这显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统整体能效。该器件通过优化的晶圆制造工艺,在保持高击穿电压的同时减小了芯片尺寸,从而在成本与性能之间取得良好平衡。其栅极电荷(Qg)相对较低,典型值约为35nC(@ Vds=400V, Id=2.5A),这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率较小,有利于简化栅极驱动电路设计并降低控制芯片负担。
另一个关键特性是其出色的开关性能。FIR5N60FG具有较小的输出电容(Coss)和反馈电容(Crss),这不仅缩短了开关过渡时间,还减少了开关过程中的交叠损耗。同时,器件内置的体二极管经过优化,具备较快的反向恢复速度(trr约45ns)和较低的反向恢复电荷(Qrr约35nC),有效抑制了在硬开关拓扑中常见的电压尖峰和振荡现象,提升了系统的电磁兼容性(EMC)表现。这对于反激电源等常处于不连续导通模式(DCM)的应用尤为重要。
热性能方面,FIR5N60FG采用TO-220F封装,其从结到外壳的热阻(Rth(j-c))约为2.5°C/W,配合外部散热片可实现高效散热,确保长时间满载运行时的温度处于安全范围内。该器件的工作结温最高可达150°C,并支持宽范围的环境温度操作,适合工业级应用场景。此外,FIR5N60FG通过了多项国际安全认证,符合RoHS环保要求,具备较强的抗浪涌和雪崩能力,提升了系统在电网波动或负载异常情况下的可靠性。
FIR5N60FG主要应用于各类中等功率的开关电源系统中,尤其适用于需要高能效和紧凑设计的场合。一个典型的应用是在离线式反激变换器中作为主开关管使用,常见于手机充电器、笔记本电脑适配器、家电辅助电源等领域。在此类拓扑中,FIR5N60FG凭借其低Rds(on)和快速开关特性,能够显著降低传导损耗和开关损耗,提高转换效率,满足能源之星(Energy Star)或DoE Level VI等能效标准的要求。
在LED照明驱动电源中,FIR5N60FG也扮演着重要角色,特别是在非隔离或隔离式恒流驱动方案中。这类应用对电源效率、功率因数(PF)和总谐波失真(THD)有较高要求,而FIR5N60FG的优良动态响应和稳定导通特性有助于实现精确的电流调节和长寿命运行。此外,该器件还可用于小型光伏微逆变器或太阳能控制器中,作为DC-AC或DC-DC转换级的开关元件,提供可靠的能量传输路径。
其他潜在应用包括工业电源模块、电动工具充电器、UPS不间断电源中的待机电源部分以及家用电器的内置电源单元。由于其具备良好的抗噪声能力和稳定的电气参数,FIR5N60FG也能适应较为恶劣的电磁环境,适用于对可靠性和安全性要求较高的工业控制系统。对于需要通过安规认证的产品,该器件的隔离封装(TO-220F)提供了基本绝缘保护,有助于简化PCB布局和绝缘距离设计。
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