时间：2025/8/16 22:38:26
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BAS31LT1G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的通用硅开关二极管。该器件采用先进的硅外延工艺制造，具有快速开关能力和良好的温度稳定性，适用于高频开关、信号整流和保护电路等多种应用。BAS31LT1G采用SOT-23小型表面贴装封装，适用于紧凑型电子设备和自动化生产流程。
类型：硅开关二极管
最大正向电流（IF）：200 mA
峰值反向电压（VRM）：80 V
正向电压降（VF）：1.25 V @ 100 mA
反向漏电流（IR）：100 nA @ 75 V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
结电容（Cj）：5 pF @ 0 V
反向恢复时间（trr）：10 ns
BAS31LT1G具备快速开关特性，适用于高频电路中的信号整流与切换。其低结电容确保了高频响应的稳定性，同时反向恢复时间短，有助于减少开关损耗。该器件的正向压降较低，在100 mA条件下仅为1.25 V，提高了能效表现。此外，其反向漏电流极低，在75 V下仅为100 nA，确保在高温环境下仍能稳定运行。BAS31LT1G的SOT-23封装形式适用于自动化贴片工艺，提升了制造效率和产品可靠性。
BAS31LT1G广泛应用于通信设备、工业控制、电源管理、信号整流和保护电路中。在射频（RF）模块中，它可用于信号切换和隔离。在电源转换器中，可作为高频整流器使用。此外，它也常用于数字电路中的信号处理和保护，防止过电压和反向电流对敏感元件造成损害。
1N4148WS、BAS16、BAS70-04、BAV99、BAS316
