时间：2025/8/16 18:28:06
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2N7002KW 是一款常见的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SOT-323 封装，适用于低电压和中等功率的应用。该器件具有低导通电阻、高速开关性能和高可靠性，广泛应用于电源管理、负载开关、LED 驱动和电机控制等领域。由于其小型化封装，适合空间受限的电路设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流 (Id)：最大 115mA
漏极-源极击穿电压 (Vds)：最大 60V
栅极-源极电压 (Vgs)：最大 ±20V
导通电阻 (Rds(on))：最大 5Ω（在 Vgs=10V 时）
功耗 (Ptot)：最大 300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOT-323
2N7002KW 具备多项优良特性，包括低导通电阻（Rds(on)）以减少导通损耗，提高系统效率；其 N 沟道增强型结构提供了良好的电流控制能力，适合用于开关电路。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持从 4.5V 到 10V 的驱动电压，使其兼容多种驱动电路。SOT-323 小型封装不仅节省空间，还具有良好的热性能，适合在紧凑型电子产品中使用。
此外，2N7002KW 提供了良好的热稳定性和抗静电能力，确保在不同工作环境下的可靠性。其最大漏极电流为 115mA，最大漏极-源极电压为 60V，适合用于中低功率的电源转换和负载控制。器件的开关速度较快，适用于 PWM 控制和数字开关应用，有助于提高整体系统的响应速度和效率。
2N7002KW MOSFET 主要用于各种中低功率电子设备中的开关控制。典型应用包括 DC-DC 转换器、电池供电设备中的负载开关、LED 驱动电路、继电器替代、电机控制电路以及嵌入式系统的电源管理模块。由于其小型封装和良好的电气性能，它也广泛应用于便携式电子产品、智能家居设备和工业自动化控制电路中。
2N7002, 2N7002K, BSS138, FDV301N, SI2302DS
