时间：2025/9/9 4:11:04
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RCH875NP-150K是一款由Rochester Electronics生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频率开关和高功率密度应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，使其在电源管理和功率转换系统中表现出色。RCH875NP-150K广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、电机控制、电源管理模块以及各类高功率便携设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
漏极电流（ID）：75A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：约1.5mΩ（典型值）
栅极电压范围：-20V至+20V
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-263（D2Pak）
技术：沟槽型MOSFET
RCH875NP-150K具备多项优异特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，该MOSFET采用了先进的沟槽结构技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其次，其最大漏源电压为80V，漏极连续电流能力达到75A，具备出色的电流承载能力，适用于高功率密度设计。
此外，RCH875NP-150K的封装采用TO-263（D2Pak）形式，具备良好的散热性能，有助于提高器件在高温环境下的稳定性和可靠性。其工作温度范围覆盖-55°C至+175°C，适用于工业级和汽车电子应用。栅极电压范围宽达-20V至+20V，增强了器件的抗干扰能力和驱动兼容性。
RCH875NP-150K主要应用于需要高效能功率管理的电子系统中。常见的应用包括高效率DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电源管理系统、电池充电器以及各类高功率便携式设备。其高电流承载能力和低导通电阻使其在汽车电子系统中也具有广泛应用，例如车载电源转换系统、电动工具和电动车驱动系统等。此外，RCH875NP-150K也可用于工业自动化控制、通信电源和服务器电源模块中。
Si7456DP, IPB075N08N3, FDP8750
