时间：2025/8/15 3:05:40
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2N7002KTB 是一款常见的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于低电压和低电流的开关应用。该器件采用SOT-23封装，适合用于便携式设备、电源管理和信号切换等场合。2N7002KTB具有较高的可靠性和稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：110mA
导通电阻（RDS(on)）：5Ω @ VGS = 10V
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
2N7002KTB MOSFET采用了先进的平面技术，具有良好的导通特性和较低的开关损耗。该器件的栅极氧化层设计使其能够承受高达±20V的栅源电压，提高了在复杂电路环境中的可靠性。此外，2N7002KTB的漏极和源极之间具有较高的击穿电压（60V），适用于多种低压控制和开关应用。该MOSFET的导通电阻在VGS为10V时仅为5Ω，确保了较低的导通损耗和较高的效率。由于其SOT-23封装体积小巧，适合在空间受限的电路设计中使用。2N7002KTB还具有良好的热稳定性和抗静电能力，能够在高温环境下稳定工作。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，可以在2.5V至20V之间正常工作，因此适用于多种控制电路。2N7002KTB的开关速度较快，能够满足高频开关应用的需求。此外，其漏极电流额定值为110mA，在低电流应用中表现出色。由于其良好的参数特性和封装设计，2N7002KTB广泛用于数字电路、模拟开关、电源管理、电池供电设备等场景。
2N7002KTB常用于低电压开关电路、逻辑控制电路、电源管理系统、电池供电设备、LED驱动电路、信号切换电路等。该器件也适用于需要低功耗和小封装尺寸的嵌入式系统和便携式电子产品中。
2N7000, 2N7002, BSS138, FDV301N, SI2302DS
