时间：2025/8/14 18:20:44
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2N7002KDW_R1是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于开关电路、负载开关和小型电机控制等电子系统中。该器件采用SOT-363封装，具备小型化和高稳定性的特点，适用于消费类电子产品、工业控制和通信设备等领域。作为一款标准的逻辑电平MOSFET，其栅极驱动电压兼容低电压逻辑电路，使其能够直接由微控制器或数字IC控制。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：最大100mA
漏源电压（Vds）：最大60V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约5Ω（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-363
2N7002KDW_R1具有优异的开关性能和低导通电阻，使其在低功耗应用中表现出色。其SOT-363封装形式不仅节省空间，还提供了良好的热管理和电气性能。该MOSFET具备高击穿电压能力，确保在高压环境下仍能稳定运行。此外，其栅极氧化层设计增强了器件的抗静电能力和长期可靠性，适用于各种恶劣工作条件。由于其逻辑电平兼容特性，该器件可直接由数字电路驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了设计并降低了系统成本。该MOSFET还具有快速开关响应时间，适用于高频开关应用。
2N7002KDW_R1常用于低功率开关应用，如LED驱动、小型继电器控制、电机控制和电源管理电路。在消费电子产品中，它被广泛应用于电池供电设备中的负载开关和信号路由。在工业控制系统中，该器件可用于PLC模块、传感器接口和小型执行器控制。此外，它也适合用于通信设备中的电源转换和信号处理电路。
2N7002K, 2N7002DW, BSS138, 2N7000
