时间：2025/6/21 5:04:31
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2N7002KDW 是一款 N 沟道增强型小信号 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电子电路中。该器件具有低漏电流、高开关速度和良好的线性特性，适用于需要高频开关和小信号放大的场合。
2N7002KDW 常被用于电源管理、信号切换、负载驱动等场景，其封装形式通常为 SOT-23 小型表面贴装封装，适合紧凑型设计。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：0.2A
漏源导通电阻：15Ω
栅极电荷：4nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
功耗：340mW
2N7002KDW 具有以下显著特性：
1. 高开关速度，支持快速导通和关断操作。
2. 极低的输入电容，使得其非常适合高频应用。
3. 超低静态功耗，减少整体系统能耗。
4. 提供较高的耐热性能，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 小型化封装设计，方便在空间受限的电路板上使用。
6. 可靠性高，使用寿命长，能够适应多种复杂环境下的应用需求。
2N7002KDW 的典型应用场景包括：
1. 开关电源中的信号控制和转换。
2. 各类便携式设备中的负载开关。
3. 数据通信接口保护与切换。
4. 音频设备中的静音控制。
5. 数字逻辑电路中的开关元件。
6. 电池管理系统中的过流保护及充放电控制。
2N7002,
BSS107,
FDN308P,
PMV19UN,
IRLML6402
