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IPW60R190C6 发布时间 时间:2025/5/7 9:20:33 查看 阅读:8

IPW60R190C6是英飞凌(Infineon)生产的一款功率MOSFET,采用Trench技术制造。该器件具有低导通电阻、高效率和优异的开关性能,非常适合于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及逆变器等应用领域。这款MOSFET属于OptiMOS系列,其出色的热特性和电气特性使得它在各种功率转换场景中表现出色。

参数

型号:IPW60R190C6
  封装:D2PAK (TO-263)
  VDS(漏源电压):60V
  RDS(on)(导通电阻):190mΩ(典型值,VGS=10V)
  IDS(连续漏极电流):28A
  功耗:45W
  工作温度范围:-55°C to +175°C
  栅极电荷:26nC(典型值)
  反向恢复时间:20ns(典型值)

特性

IPW60R190C6是一款专为高效率设计优化的功率MOSFET。其采用先进的Trench技术,在保证低导通电阻的同时,大幅降低了开关损耗。
  主要特性包括:
  - 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
  - 高速开关能力,支持高频应用。
  - 良好的热稳定性,适用于高功率密度场景。
  - 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  - 可靠性高,适合长时间运行的工业应用。
  此外,其具备优异的抗雪崩能力,能够在极端条件下保持稳定工作。

应用

IPW60R190C6因其卓越的性能广泛应用于多个领域,包括但不限于以下场景:
  - 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  - 工业设备中的电机驱动电路。
  - 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  - 各种类型的DC-DC转换器。
  - 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  - 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的辅助系统。
  总之,任何需要高效功率转换和控制的应用都可以考虑使用该器件。

替代型号

IPP60N10S3
  IRF540N
  FDP5500
  STP60NF10

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IPW60R190C6参数

  • 数据列表IPx60R190C6
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP Switching BehaviorCoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装240
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C190 毫欧 @ 9.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 630µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 100V
  • 功率 - 最大151W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PG-TO247-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000621160