IPW60R190C6是英飞凌(Infineon)生产的一款功率MOSFET,采用Trench技术制造。该器件具有低导通电阻、高效率和优异的开关性能,非常适合于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及逆变器等应用领域。这款MOSFET属于OptiMOS系列,其出色的热特性和电气特性使得它在各种功率转换场景中表现出色。
型号:IPW60R190C6
封装:D2PAK (TO-263)
VDS(漏源电压):60V
RDS(on)(导通电阻):190mΩ(典型值,VGS=10V)
IDS(连续漏极电流):28A
功耗:45W
工作温度范围:-55°C to +175°C
栅极电荷:26nC(典型值)
反向恢复时间:20ns(典型值)
IPW60R190C6是一款专为高效率设计优化的功率MOSFET。其采用先进的Trench技术,在保证低导通电阻的同时,大幅降低了开关损耗。
主要特性包括:
- 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
- 高速开关能力,支持高频应用。
- 良好的热稳定性,适用于高功率密度场景。
- 符合RoHS标准,环保无铅设计。
- 可靠性高,适合长时间运行的工业应用。
此外,其具备优异的抗雪崩能力,能够在极端条件下保持稳定工作。
IPW60R190C6因其卓越的性能广泛应用于多个领域,包括但不限于以下场景:
- 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
- 工业设备中的电机驱动电路。
- 太阳能逆变器中的功率转换模块。
- 各种类型的DC-DC转换器。
- 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
- 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的辅助系统。
总之,任何需要高效功率转换和控制的应用都可以考虑使用该器件。
IPP60N10S3
IRF540N
FDP5500
STP60NF10