时间：2025/8/9 14:20:53
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1DI300M-050 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的高效能、高电压、高速的功率MOSFET晶体管，属于超级结（Super Junction）MOSFET家族。该器件专为高效率电源转换应用而设计，适用于需要高耐压和低导通电阻的应用场景。该器件采用先进的平面工艺技术，具备优良的热性能和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：11A
最大漏-源电压（VDS）：650V
导通电阻（RDS(on)）：0.52Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：47nC
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
1DI300M-050 MOSFET采用了先进的超级结技术，显著降低了导通电阻，同时保持了高击穿电压特性。这种技术使得该器件在高电压应用中表现出色，尤其是在高效率的电源转换器中，例如AC-DC适配器、服务器电源、太阳能逆变器以及工业电源设备。
该器件的导通电阻非常低，仅为0.52Ω，这意味着在工作过程中，导通损耗大大减少，从而提高了整体系统效率。同时，其额定漏极电流为11A，能够满足高功率应用的需求。此外，该器件的漏-源电压高达650V，使其适用于需要高电压耐受能力的电路设计。
该MOSFET的栅极电荷（Qg）为47nC，这在高速开关应用中非常重要。较低的栅极电荷有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而提高系统效率。此外，该器件的封装形式为TO-220，这种封装提供了良好的散热性能，适合高功率密度的设计。
1DI300M-050具有良好的热稳定性和可靠性，在高温度环境下依然能够稳定运行。其工作温度范围为-55°C至150°C，这使得它在各种工业和恶劣环境下都能可靠运行。该器件的功率耗散为100W，确保其在高负载条件下仍能保持稳定性能。
1DI300M-050 MOSFET广泛应用于各种高功率和高效率的电源转换系统。常见应用包括AC-DC电源适配器、服务器电源、电信电源、太阳能逆变器、LED驱动电源以及工业电机控制。由于其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，该器件特别适合用于高效率的电源拓扑结构，如LLC谐振转换器、PFC（功率因数校正）电路以及DC-DC转换器。
在服务器和数据中心电源中，该器件能够有效降低能耗并提高整体系统效率，符合绿色能源和节能设计的要求。此外，在太阳能逆变器中，1DI300M-050可以提供高可靠性和长寿命，确保系统在恶劣环境下的稳定运行。在LED照明驱动电路中，它能够提供稳定的功率输出，确保LED光源的高效运行。
STF11NM65N, STW11NM65N, FQA11N65C
