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NVD2955T4G 发布时间 时间:2025/6/5 12:24:12 查看 阅读:7

NVD2955T4G是一款高性能、大容量的DDR5内存模块芯片,专为服务器、工作站和高端计算设备设计。该芯片支持最新的DDR5标准,提供更快的数据传输速率和更低的功耗,适用于需要高带宽和低延迟的应用场景。其高度集成的设计使其成为现代数据中心和云计算平台的理想选择。
  这款芯片采用了先进的制程工艺,在提升性能的同时显著降低了能耗。此外,它还具备纠错码(ECC)功能,能够有效提高数据的完整性和可靠性。

参数

类型:DDR5内存芯片
  容量:4GB
  位宽:x8/x16
  工作电压:1.1V
  数据速率:4800MT/s - 6400MT/s
  封装形式:BGA
  引脚数:72-ball
  温度范围:-40°C 至 +125°C

特性

NVD2955T4G具有以下关键特性:
  1. 支持DDR5规范,提供更高的数据传输速率和带宽。
  2. 内置ECC功能,可检测并纠正单比特错误,从而提高系统稳定性。
  3. 使用更小的工作电压(1.1V),相比前代产品更加节能。
  4. 高密度设计,能够在有限的空间内实现更大的存储容量。
  5. 提供多种数据速率选项,满足不同应用场景的需求。
  6. 具有出色的热管理性能,确保在长时间运行中保持稳定。
  7. 符合RoHS标准,采用环保材料制造。

应用

NVD2955T4G广泛应用于以下领域:
  1. 企业级服务器和高性能计算平台。
  2. 数据中心和云计算基础设施。
  3. 工作站和图形处理单元(GPU)加速器。
  4. 网络通信设备,如路由器和交换机。
  5. 医疗成像和科学计算等对内存性能要求极高的应用。
  6. AI训练和推理系统,支持深度学习框架的高效运行。

替代型号

NVD2955T8G, NVD2950T4G, NVD2960T4G

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NVD2955T4G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)180 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)30 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)750 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)55W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63